ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento
Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D; Lischka, K
Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Phisics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., Schikora, D., & Lischka, K. (1996). Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2024 out. 31 ]
Trabalho de evento-resumo
Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., & Schikora, D. (1996). Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. Resumos. 1996 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. Resumos. 1996 ;[citado 2024 out. 31 ]
Artigo de periodico
Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC' (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics, v. 80, n. 11, p. 6322, 1996Tradução . . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., Schikora, D., & Lischka, K. (1996). Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics, 80( 11), 6322.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics. 1996 ;80( 11): 6322.[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Structural properties of cubic gan epitaxial layers grown on 'BETA-SIC'. Journal of Applied Physics. 1996 ;80( 11): 6322.[citado 2024 out. 31 ]
Trabalho de evento-resumo
Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study (1995)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study. 1995, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., & Schikora, D. (1995). Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study. Resumos. 1995 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study. Resumos. 1995 ;[citado 2024 out. 31 ]

USP Schools

ReP

Filtros

Authors