Transistor híbrido sensível a campos magnéticos (2007)
Unidade: IQSubjects: TRANSISTORES, CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
HUEMMELGEN, Ivo Alexandre et al. Transistor híbrido sensível a campos magnéticos. . Rio de Janeiro: República Federativa do Brasil, Ministério do Desenvolvimento, Indústria e do Comércio Exterior e Instituto Nacional da Propriedade Industrial. . Acesso em: 06 nov. 2024. , 2007APA
Huemmelgen, I. A., Meruvia, M. S., Gruber, J., Li, R. W. C., Aguiar, L. H. J. de M. da C., & Benvenho, A. R. V. (2007). Transistor híbrido sensível a campos magnéticos. Rio de Janeiro: República Federativa do Brasil, Ministério do Desenvolvimento, Indústria e do Comércio Exterior e Instituto Nacional da Propriedade Industrial.NLM
Huemmelgen IA, Meruvia MS, Gruber J, Li RWC, Aguiar LHJ de M da C, Benvenho ARV. Transistor híbrido sensível a campos magnéticos. 2007 ;[citado 2024 nov. 06 ]Vancouver
Huemmelgen IA, Meruvia MS, Gruber J, Li RWC, Aguiar LHJ de M da C, Benvenho ARV. Transistor híbrido sensível a campos magnéticos. 2007 ;[citado 2024 nov. 06 ]