Transistor híbrido sensível a campos magnéticos (2007)
- Authors:
- Autor USP: GRUBER, JONAS - IQ
- Unidade: IQ
- Subjects: TRANSISTORES; CAMPO MAGNÉTICO
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: República Federativa do Brasil, Ministério do Desenvolvimento, Indústria e do Comércio Exterior e Instituto Nacional da Propriedade Industrial
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 2007
-
ABNT
HUEMMELGEN, Ivo Alexandre et al. Transistor híbrido sensível a campos magnéticos. . Rio de Janeiro: República Federativa do Brasil, Ministério do Desenvolvimento, Indústria e do Comércio Exterior e Instituto Nacional da Propriedade Industrial. . Acesso em: 06 nov. 2024. , 2007 -
APA
Huemmelgen, I. A., Meruvia, M. S., Gruber, J., Li, R. W. C., Aguiar, L. H. J. de M. da C., & Benvenho, A. R. V. (2007). Transistor híbrido sensível a campos magnéticos. Rio de Janeiro: República Federativa do Brasil, Ministério do Desenvolvimento, Indústria e do Comércio Exterior e Instituto Nacional da Propriedade Industrial. -
NLM
Huemmelgen IA, Meruvia MS, Gruber J, Li RWC, Aguiar LHJ de M da C, Benvenho ARV. Transistor híbrido sensível a campos magnéticos. 2007 ;[citado 2024 nov. 06 ] -
Vancouver
Huemmelgen IA, Meruvia MS, Gruber J, Li RWC, Aguiar LHJ de M da C, Benvenho ARV. Transistor híbrido sensível a campos magnéticos. 2007 ;[citado 2024 nov. 06 ] - Sintese de p- halotoluenos substituidos
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