Excitons trapped at impurity centers in semiconductors (1987)
Source: Abstracts. Conference titles: Escola Brasileira de Física de Semicondutores. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HORNOS, José Eduardo Martinho e DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Excitons trapped at impurity centers in semiconductors. 1987, Anais.. Campinas: , Universidade de São Paulo, 1987. . Acesso em: 06 nov. 2024.APA
Hornos, J. E. M., Degani, M. H., & Hipólito, O. (1987). Excitons trapped at impurity centers in semiconductors. In Abstracts. Campinas: , Universidade de São Paulo.NLM
Hornos JEM, Degani MH, Hipólito O. Excitons trapped at impurity centers in semiconductors. Abstracts. 1987 ;[citado 2024 nov. 06 ]Vancouver
Hornos JEM, Degani MH, Hipólito O. Excitons trapped at impurity centers in semiconductors. Abstracts. 1987 ;[citado 2024 nov. 06 ]
