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Trabalho de evento
Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso (1994)
Salcedo, Walter Jaimes ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Galeazzo, Elisabete
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
SALCEDO, Walter Jaimes e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e GALEAZZO, Elisabete. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Salcedo, W. J., Ramírez Fernandez, F. J., & Galeazzo, E. (1994). Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj.
NLM
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. Anais. 1994 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Salcedo WJ, Ramírez Fernandez FJ, Galeazzo E. Degradacao da condutividade eletrica do silicio poroso. Anais. 1994 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento
Modelo simplificado da sensibilidade de sensores de campo magnetico integraveis (1993)
Galeazzo, Elisabete ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
GALEAZZO, Elisabete e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Modelo simplificado da sensibilidade de sensores de campo magnetico integraveis. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Galeazzo, E., & Ramírez Fernandez, F. J. (1993). Modelo simplificado da sensibilidade de sensores de campo magnetico integraveis. In Anais. Campinas: Sbmicro.
NLM
Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ. Modelo simplificado da sensibilidade de sensores de campo magnetico integraveis. Anais. 1993 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ. Modelo simplificado da sensibilidade de sensores de campo magnetico integraveis. Anais. 1993 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento
Analise da sensibilidade de magneto-transistores pnp laterais na tecnologia cmos (1992)
Galeazzo, Elisabete ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
GALEAZZO, Elisabete e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Analise da sensibilidade de magneto-transistores pnp laterais na tecnologia cmos. 1992, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1992. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Galeazzo, E., & Ramírez Fernandez, F. J. (1992). Analise da sensibilidade de magneto-transistores pnp laterais na tecnologia cmos. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ. Analise da sensibilidade de magneto-transistores pnp laterais na tecnologia cmos. Anais. 1992 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ. Analise da sensibilidade de magneto-transistores pnp laterais na tecnologia cmos. Anais. 1992 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento
Caracterizacao da magneto-concentracao em transistores pnp bipolares laterais (1992)
Galeazzo, Elisabete ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
GALEAZZO, Elisabete e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Caracterizacao da magneto-concentracao em transistores pnp bipolares laterais. 1992, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1992. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Galeazzo, E., & Ramírez Fernandez, F. J. (1992). Caracterizacao da magneto-concentracao em transistores pnp bipolares laterais. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ. Caracterizacao da magneto-concentracao em transistores pnp bipolares laterais. Anais. 1992 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Galeazzo E, Ramírez Fernandez FJ. Caracterizacao da magneto-concentracao em transistores pnp bipolares laterais. Anais. 1992 ;[citado 2024 nov. 01 ]

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