Source: SBMICRO 2008: Anais. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
ELEOTÉRIO, Marcos et al. Post-silicidation annealing effects on electrical and structural properties of NiPt germanosilicide. 2008, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2008. Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.2956053. Acesso em: 01 nov. 2024.APA
Eleotério, M., Doi, I., Figueroa, R., Diniz, J. A., & Santos Filho, S. G. dos. (2008). Post-silicidation annealing effects on electrical and structural properties of NiPt germanosilicide. In SBMICRO 2008: Anais. Pennington: The Electrochemical Society. doi:10.1149/1.2956053NLM
Eleotério M, Doi I, Figueroa R, Diniz JA, Santos Filho SG dos. Post-silicidation annealing effects on electrical and structural properties of NiPt germanosilicide [Internet]. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.2956053Vancouver
Eleotério M, Doi I, Figueroa R, Diniz JA, Santos Filho SG dos. Post-silicidation annealing effects on electrical and structural properties of NiPt germanosilicide [Internet]. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.2956053