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Trabalho de evento-anais periodico
Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, A; Piquini, P; Mota, R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 08 ago. 2024. , 1998
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1998). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2024 ago. 08 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2024 ago. 08 ]
Artigo de periodico
Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' (1996)
Schmidt, T M; Fazzio, A
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHMIDT, T M e FAZZIO, A. Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics, v. 26, n. 1 , p. 392-4, 1996Tradução . . Acesso em: 08 ago. 2024.
APA
Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1996). Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics, 26( 1 ), 392-4.
NLM
Schmidt TM, Fazzio A. Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 392-4.[citado 2024 ago. 08 ]
Vancouver
Schmidt TM, Fazzio A. Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 392-4.[citado 2024 ago. 08 ]
Artigo de periodico
Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model (1996)
Piquini, P; Dal Pino Junior, A; Fazzio, A
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PIQUINI, P e DAL PINO JUNIOR, A e FAZZIO, A. Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics, v. 26, n. 1 , p. 277-9, 1996Tradução . . Acesso em: 08 ago. 2024.
APA
Piquini, P., Dal Pino Junior, A., & Fazzio, A. (1996). Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics, 26( 1 ), 277-9.
NLM
Piquini P, Dal Pino Junior A, Fazzio A. Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 277-9.[citado 2024 ago. 08 ]
Vancouver
Piquini P, Dal Pino Junior A, Fazzio A. Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 277-9.[citado 2024 ago. 08 ]
Artigo de periodico
Configurational and electronic properties of amorphous semiconductors (1994)
Venezuela, P P M; Canuto, Sylvio; Fazzio, A
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
VENEZUELA, P P M e CANUTO, Sylvio e FAZZIO, A. Configurational and electronic properties of amorphous semiconductors. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 4 , p. 942-7, 1994Tradução . . Acesso em: 08 ago. 2024.
APA
Venezuela, P. P. M., Canuto, S., & Fazzio, A. (1994). Configurational and electronic properties of amorphous semiconductors. Brazilian Journal of Physics, 24( 4 ), 942-7.
NLM
Venezuela PPM, Canuto S, Fazzio A. Configurational and electronic properties of amorphous semiconductors. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 4 ): 942-7.[citado 2024 ago. 08 ]
Vancouver
Venezuela PPM, Canuto S, Fazzio A. Configurational and electronic properties of amorphous semiconductors. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 4 ): 942-7.[citado 2024 ago. 08 ]

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