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Trabalho de evento
Projeto de transistores mesfet / 'GA''AS' com estrutura auto-alinhada obtida por implantacao ionica (1994)
Favoretto, M; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
FAVORETTO, M e SWART, Jacobus Willibrordus. Projeto de transistores mesfet / 'GA''AS' com estrutura auto-alinhada obtida por implantacao ionica. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 05 maio 2026.
APA
Favoretto, M., & Swart, J. W. (1994). Projeto de transistores mesfet / 'GA''AS' com estrutura auto-alinhada obtida por implantacao ionica. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj.
NLM
Favoretto M, Swart JW. Projeto de transistores mesfet / 'GA''AS' com estrutura auto-alinhada obtida por implantacao ionica. Anais. 1994 ;[citado 2026 maio 05 ]
Vancouver
Favoretto M, Swart JW. Projeto de transistores mesfet / 'GA''AS' com estrutura auto-alinhada obtida por implantacao ionica. Anais. 1994 ;[citado 2026 maio 05 ]
Trabalho de evento
Otimizacao de diodos schottky w / 'GA''AS' para a tecnologia sag-mesfet (1992)
Favoretto, M; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
FAVORETTO, M e SWART, Jacobus Willibrordus. Otimizacao de diodos schottky w / 'GA''AS' para a tecnologia sag-mesfet. 1992, Anais.. São Paulo: Sbmicro/EpUSP, 1992. . Acesso em: 05 maio 2026.
APA
Favoretto, M., & Swart, J. W. (1992). Otimizacao de diodos schottky w / 'GA''AS' para a tecnologia sag-mesfet. In Anais. São Paulo: Sbmicro/EpUSP.
NLM
Favoretto M, Swart JW. Otimizacao de diodos schottky w / 'GA''AS' para a tecnologia sag-mesfet. Anais. 1992 ;[citado 2026 maio 05 ]
Vancouver
Favoretto M, Swart JW. Otimizacao de diodos schottky w / 'GA''AS' para a tecnologia sag-mesfet. Anais. 1992 ;[citado 2026 maio 05 ]
Trabalho de evento
Influencia do ambiente de recozimento sobre estabilidade termica de diodos schottky w / 'GA''AS' (1992)
Favoretto, M; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Cbecimat: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
FAVORETTO, M e SWART, Jacobus Willibrordus. Influencia do ambiente de recozimento sobre estabilidade termica de diodos schottky w / 'GA''AS'. 1992, Anais.. Campinas: Unicamp, 1992. . Acesso em: 05 maio 2026.
APA
Favoretto, M., & Swart, J. W. (1992). Influencia do ambiente de recozimento sobre estabilidade termica de diodos schottky w / 'GA''AS'. In Cbecimat: Anais. Campinas: Unicamp.
NLM
Favoretto M, Swart JW. Influencia do ambiente de recozimento sobre estabilidade termica de diodos schottky w / 'GA''AS'. Cbecimat: Anais. 1992 ;[citado 2026 maio 05 ]
Vancouver
Favoretto M, Swart JW. Influencia do ambiente de recozimento sobre estabilidade termica de diodos schottky w / 'GA''AS'. Cbecimat: Anais. 1992 ;[citado 2026 maio 05 ]

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