Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício (1968)
Unidade: EPSubjects: DIODOS, GÁLIO, SILÍCIO
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ABNT
EISENCRAFT, Marcos. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1968. . Acesso em: 17 out. 2024.APA
Eisencraft, M. (1968). Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.NLM
Eisencraft M. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968 ;[citado 2024 out. 17 ]Vancouver
Eisencraft M. Propriedades dos diodos eletroluminescentes de arseneto de gálio contaminado com silício. 1968 ;[citado 2024 out. 17 ]