Transmission electron microscopy study of InAs and InGaAs quantum dots grown by MBE (1998)
Petitprez, Emmanuel; González-Borrero, P P; Marega Junior, Euclydes 
; Basmaji, Pierre; Mazel, A; Dorignac, D; Fourmeaux, R
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
PETITPREZ, Emmanuel et al. Transmission electron microscopy study of InAs and InGaAs quantum dots grown by MBE. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 03 maio 2026.APA
Petitprez, E., González-Borrero, P. P., Marega Junior, E., Basmaji, P., Mazel, A., Dorignac, D., & Fourmeaux, R. (1998). Transmission electron microscopy study of InAs and InGaAs quantum dots grown by MBE. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.NLM
Petitprez E, González-Borrero PP, Marega Junior E, Basmaji P, Mazel A, Dorignac D, Fourmeaux R. Transmission electron microscopy study of InAs and InGaAs quantum dots grown by MBE. Resumos. 1998 ;[citado 2026 maio 03 ]Vancouver
Petitprez E, González-Borrero PP, Marega Junior E, Basmaji P, Mazel A, Dorignac D, Fourmeaux R. Transmission electron microscopy study of InAs and InGaAs quantum dots grown by MBE. Resumos. 1998 ;[citado 2026 maio 03 ]
