Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, A. et al. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 4634-4637, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634. Acesso em: 03 out. 2024.APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Sipahi, G. M., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., et al. (1999). Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, 59( 7), 4634-4637. doi:10.1103/physrevb.59.4634NLM
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
