Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP (2020)
Braga, Osvaldo M. 
; Delfino, Cristian A.; Kawabata, Rudy M. S.; Pinto, Luciana Dornelas; Vieira, Gustavo S. ; Pires, Mauricio P.; Souza, Patrícia Lustoza de ; Marega Junior, Euclydes ; Carlin, John A.; Krishna, Sanjay
Fonte: IEEE Sensors Journal. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
BRAGA, Osvaldo M. et al. Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP. IEEE Sensors Journal, v. 20, n. 16, p. 9234-9244, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/JSEN.2020.2987006. Acesso em: 21 out. 2025.APA
Braga, O. M., Delfino, C. A., Kawabata, R. M. S., Pinto, L. D., Vieira, G. S., Pires, M. P., et al. (2020). Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP. IEEE Sensors Journal, 20( 16), 9234-9244. doi:10.1109/JSEN.2020.2987006NLM
Braga OM, Delfino CA, Kawabata RMS, Pinto LD, Vieira GS, Pires MP, Souza PL de, Marega Junior E, Carlin JA, Krishna S. Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP [Internet]. IEEE Sensors Journal. 2020 ; 20( 16): 9234-9244.[citado 2025 out. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JSEN.2020.2987006Vancouver
Braga OM, Delfino CA, Kawabata RMS, Pinto LD, Vieira GS, Pires MP, Souza PL de, Marega Junior E, Carlin JA, Krishna S. Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP [Internet]. IEEE Sensors Journal. 2020 ; 20( 16): 9234-9244.[citado 2025 out. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JSEN.2020.2987006
