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Artigo de periodico
Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon (1989)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Fonte: Materials Science Forum. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum, v. 38-41, p. 409, 1989Tradução . . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1989). Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum, 38-41, 409.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 409.[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 409.[citado 2024 set. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio (1989)
Lino, A T; Leite, J. R.; Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
LINO, A T et al. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1989). Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 set. 09 ]
Artigo de periodico
Hydrogen passivation of shallow donors in silicon (1989)
Silva, E C F; Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Fonte: International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SILVA, E C F e ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Hydrogen passivation of shallow donors in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, v. 23, p. 693, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.560360871. Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Silva, E. C. F., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1989). Hydrogen passivation of shallow donors in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, 23, 693. doi:10.1002/qua.560360871
NLM
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR. Hydrogen passivation of shallow donors in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 693.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560360871
Vancouver
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR. Hydrogen passivation of shallow donors in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 693.[citado 2024 set. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560360871
Artigo de periodico
Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon (1989)
Lino, A T; Leite, J. R.; Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S
Fonte: International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, v. 23, p. 701, 1989Tradução . . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1989). Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, 23, 701.
NLM
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 701.[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 701.[citado 2024 set. 09 ]
Artigo de periodico
Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium (1989)
Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S; Leite, J. R.; Chacham, H; Alves, J L A
Fonte: Institute of Physics Conference Series. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, v. 95, p. 453, 1989Tradução . . Acesso em: 09 set. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., Chacham, H., & Alves, J. L. A. (1989). Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, 95, 453.
NLM
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.[citado 2024 set. 09 ]
Vancouver
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.[citado 2024 set. 09 ]

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