Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers (1986)
Source: Mat Science Forum. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
HAHN, S et al. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 02 out. 2024. , 1986APA
Hahn, S., Shatas, S., Stein, H. J., Arst, M., Sadana, D. K., Rek, Z. U., & Stojanoff, V. (1986). Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.NLM
Hahn S, Shatas S, Stein HJ, Arst M, Sadana DK, Rek ZU, Stojanoff V. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 973-8.[citado 2024 out. 02 ]Vancouver
Hahn S, Shatas S, Stein HJ, Arst M, Sadana DK, Rek ZU, Stojanoff V. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 973-8.[citado 2024 out. 02 ]
