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Trabalho de evento
Laser interference structuring of a-GeN for the production of optical diffraction gratings (2003)
Mulato, Marcelo; Zanatta, Antonio Ricardo; Toet, D.; Chambouleyron, I. E.
Fonte: Materials Research Society Symposium Proceedings. Nome do evento: MRS Spring Meeting. Unidades: FFCLRP, IFSC
Assuntos: CRISTALIZAÇÃO, CRISTALOGRAFIA, FILMES FINOS, LASER, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MULATO, Marcelo et al. Laser interference structuring of a-GeN for the production of optical diffraction gratings. 2003, Anais.. Warrendale: Materials Research Society - MRS, 2003. . Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Mulato, M., Zanatta, A. R., Toet, D., & Chambouleyron, I. E. (2003). Laser interference structuring of a-GeN for the production of optical diffraction gratings. In Materials Research Society Symposium Proceedings (Vol. 762). Warrendale: Materials Research Society - MRS.
NLM
Mulato M, Zanatta AR, Toet D, Chambouleyron IE. Laser interference structuring of a-GeN for the production of optical diffraction gratings. Materials Research Society Symposium Proceedings. 2003 ; 762[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Mulato M, Zanatta AR, Toet D, Chambouleyron IE. Laser interference structuring of a-GeN for the production of optical diffraction gratings. Materials Research Society Symposium Proceedings. 2003 ; 762[citado 2024 jul. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
H and N behavior during green and blue pulsed-laser crystallization of a-Si:H, a-Si:N, a-Ge:H, and a-Ge:N alloys (2003)
Mulato, M.; Zanatta, Antonio Ricardo; Toet, D.; Chambouleyron, I. E.
Fonte: Abstract Book and Final Program. Nome do evento: International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors : Science and Technology - ICAMS. Unidades: FFCLRP, IFSC
Assuntos: CRISTALIZAÇÃO, SEMICONDUTORES, LASER, CRISTALOGRAFIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MULATO, M. et al. H and N behavior during green and blue pulsed-laser crystallization of a-Si:H, a-Si:N, a-Ge:H, and a-Ge:N alloys. 2003, Anais.. Campinas: Faculdade de Filosofia, Ciências e Letras de Ribeirão Preto, Universidade de São Paulo, 2003. . Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Mulato, M., Zanatta, A. R., Toet, D., & Chambouleyron, I. E. (2003). H and N behavior during green and blue pulsed-laser crystallization of a-Si:H, a-Si:N, a-Ge:H, and a-Ge:N alloys. In Abstract Book and Final Program. Campinas: Faculdade de Filosofia, Ciências e Letras de Ribeirão Preto, Universidade de São Paulo.
NLM
Mulato M, Zanatta AR, Toet D, Chambouleyron IE. H and N behavior during green and blue pulsed-laser crystallization of a-Si:H, a-Si:N, a-Ge:H, and a-Ge:N alloys. Abstract Book and Final Program. 2003 ;[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Mulato M, Zanatta AR, Toet D, Chambouleyron IE. H and N behavior during green and blue pulsed-laser crystallization of a-Si:H, a-Si:N, a-Ge:H, and a-Ge:N alloys. Abstract Book and Final Program. 2003 ;[citado 2024 jul. 03 ]

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