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  • Trabalho de evento-resumo

    Projeto político pedagógico das licenciaturas em Física: a questão do currículo (2019)

    Terrazan, Eduardo; Penido, Maria Cristina Martins; Leite, Cristina

    Source: Resumo. Conference titles: XXIII Simpósio Nacional de Ensino de Física. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA, ACELERADOR DE PARTÍCULAS

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    • ABNT

      TERRAZAN, Eduardo e PENIDO, Maria Cristina Martins e LEITE, Cristina. Projeto político pedagógico das licenciaturas em Física: a questão do currículo. 2019, Anais.. São Paulo: SBF, 2019. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxiii/programa/#rc. Acesso em: 03 set. 2024.

    • APA

      Terrazan, E., Penido, M. C. M., & Leite, C. (2019). Projeto político pedagógico das licenciaturas em Física: a questão do currículo. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxiii/programa/#rc

    • NLM

      Terrazan E, Penido MCM, Leite C. Projeto político pedagógico das licenciaturas em Física: a questão do currículo [Internet]. Resumo. 2019 ;[citado 2024 set. 03 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxiii/programa/#rc

    • Vancouver

      Terrazan E, Penido MCM, Leite C. Projeto político pedagógico das licenciaturas em Física: a questão do currículo [Internet]. Resumo. 2019 ;[citado 2024 set. 03 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxiii/programa/#rc

  • Trabalho de evento-resumo

    Behavior of the P interstitial in Si (2002)

    Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marília Junqueira

    Source: Program e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      BAIERLE, Rogerio Jose e CALDAS, Marília Junqueira. Behavior of the P interstitial in Si. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 03 set. 2024.

    • APA

      Baierle, R. J., & Caldas, M. J. (2002). Behavior of the P interstitial in Si. In Program e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.

    • NLM

      Baierle RJ, Caldas MJ. Behavior of the P interstitial in Si. Program e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 03 ]

    • Vancouver

      Baierle RJ, Caldas MJ. Behavior of the P interstitial in Si. Program e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 03 ]

  • Artigo de periodico

    Mechanism of dopant segregation to 'SiO IND.2'/Si(001) interfaces (2002)

    Dabrowski, J.; Müssig, H. -J.; Zavodinsky, V.; Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marília Junqueira

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      DABROWSKI, J. et al. Mechanism of dopant segregation to 'SiO IND.2'/Si(001) interfaces. Physical Review B, v. 65, n. 24, p. 245305/1-245305/11, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000024245305000001&idtype=cvips. Acesso em: 03 set. 2024.

    • APA

      Dabrowski, J., Müssig, H. -J., Zavodinsky, V., Baierle, R. J., & Caldas, M. J. (2002). Mechanism of dopant segregation to 'SiO IND.2'/Si(001) interfaces. Physical Review B, 65( 24), 245305/1-245305/11. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000024245305000001&idtype=cvips

    • NLM

      Dabrowski J, Müssig H-J, Zavodinsky V, Baierle RJ, Caldas MJ. Mechanism of dopant segregation to 'SiO IND.2'/Si(001) interfaces [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 24): 245305/1-245305/11.[citado 2024 set. 03 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000024245305000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Dabrowski J, Müssig H-J, Zavodinsky V, Baierle RJ, Caldas MJ. Mechanism of dopant segregation to 'SiO IND.2'/Si(001) interfaces [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 24): 245305/1-245305/11.[citado 2024 set. 03 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000024245305000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces (2000)

    Dabrowski, J.; Mussig, H. J.; Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marilia Junqueira; Zavodinsky, V

    Source: Materials Science in Semiconductor Processing. Unidade: IF

    Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA

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    • ABNT

      DABROWSKI, J. et al. Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing, v. 3, n. 1-2, p. 85-89, 2000Tradução . . Acesso em: 03 set. 2024.

    • APA

      Dabrowski, J., Mussig, H. J., Baierle, R. J., Caldas, M. J., & Zavodinsky, V. (2000). Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing, 3( 1-2), 85-89.

    • NLM

      Dabrowski J, Mussig HJ, Baierle RJ, Caldas MJ, Zavodinsky V. Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing. 2000 ; 3( 1-2): 85-89.[citado 2024 set. 03 ]

    • Vancouver

      Dabrowski J, Mussig HJ, Baierle RJ, Caldas MJ, Zavodinsky V. Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing. 2000 ; 3( 1-2): 85-89.[citado 2024 set. 03 ]
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