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  • Unidade: EP

    Subjects: DIELÉTRICOS (PROPRIEDADES), DISPOSITIVOS SUPERCONDUTORES, CAPACITORES, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, SILÍCIO

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    • ABNT

      ALBERTIN, Katia Franklin. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS. 2007. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Albertin, K. F. (2007). Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/
    • NLM

      Albertin KF. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/
    • Vancouver

      Albertin KF. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/
  • Unidade: EP

    Subjects: CAPACITORES, SILÍCIO, DIELÉTRICOS

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    • ABNT

      ALBERTIN, Katia Franklin. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Albertin, K. F. (2003). Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030
    • NLM

      Albertin KF. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030
    • Vancouver

      Albertin KF. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030

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