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Tese (Doutorado)
Desenvolvimento de dispositivos de emissão por efeito de campo elétrico fabricados pela técnica HI-PS (2008)
Dantas, Michel Oliveira da Silva; Galeazzo, Elisabete (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: SILÍCIO, FABRICAÇÃO (MICROELETRÔNICA)
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ABNT
DANTAS, Michel Oliveira da Silva. Desenvolvimento de dispositivos de emissão por efeito de campo elétrico fabricados pela técnica HI-PS. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-103027/. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Dantas, M. O. da S. (2008). Desenvolvimento de dispositivos de emissão por efeito de campo elétrico fabricados pela técnica HI-PS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-103027/
NLM
Dantas MO da S. Desenvolvimento de dispositivos de emissão por efeito de campo elétrico fabricados pela técnica HI-PS [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-103027/
Vancouver
Dantas MO da S. Desenvolvimento de dispositivos de emissão por efeito de campo elétrico fabricados pela técnica HI-PS [Internet]. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-103027/
Artigo de periodico
Silicon field-emission devices fabricated using the hydrogen implantation-porous silicon (HI-PS) micromachining technique (2008)
Dantas, Michel Oliveira da Silva; Galeazzo, Elisabete ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Kopelvski, Maycon Max ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Journal of Microelectrochemical Systems. Unidade: EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, SILÍCIO
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ABNT
DANTAS, Michel Oliveira da Silva et al. Silicon field-emission devices fabricated using the hydrogen implantation-porous silicon (HI-PS) micromachining technique. Journal of Microelectrochemical Systems, v. 17, n. 5, p. 1263-1269, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/JMEMS.2008.927743. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Dantas, M. O. da S., Galeazzo, E., Peres, H. E. M., Kopelvski, M. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (2008). Silicon field-emission devices fabricated using the hydrogen implantation-porous silicon (HI-PS) micromachining technique. Journal of Microelectrochemical Systems, 17( 5), 1263-1269. doi:10.1109/JMEMS.2008.927743
NLM
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Kopelvski MM, Ramírez Fernandez FJ. Silicon field-emission devices fabricated using the hydrogen implantation-porous silicon (HI-PS) micromachining technique [Internet]. Journal of Microelectrochemical Systems. 2008 ; 17( 5): 1263-1269.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JMEMS.2008.927743
Vancouver
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Kopelvski MM, Ramírez Fernandez FJ. Silicon field-emission devices fabricated using the hydrogen implantation-porous silicon (HI-PS) micromachining technique [Internet]. Journal of Microelectrochemical Systems. 2008 ; 17( 5): 1263-1269.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JMEMS.2008.927743
Dissertação (Mestrado)
Obtenção de microestruturas de silício utilizando a tecnologia do silício poroso como camada sacrificial (2003)
Dantas, Michel Oliveira da Silva; Galeazzo, Elisabete (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: SILÍCIO, CIRCUITOS INTEGRADOS, ANODIZAÇÃO
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ABNT
DANTAS, Michel Oliveira da Silva. Obtenção de microestruturas de silício utilizando a tecnologia do silício poroso como camada sacrificial. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02102024-103553/pt-br.php. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Dantas, M. O. da S. (2003). Obtenção de microestruturas de silício utilizando a tecnologia do silício poroso como camada sacrificial (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02102024-103553/pt-br.php
NLM
Dantas MO da S. Obtenção de microestruturas de silício utilizando a tecnologia do silício poroso como camada sacrificial [Internet]. 2003 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02102024-103553/pt-br.php
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Dantas MO da S. Obtenção de microestruturas de silício utilizando a tecnologia do silício poroso como camada sacrificial [Internet]. 2003 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02102024-103553/pt-br.php
Relatorio tecnico
Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication (2003)
Dantas, Michel Oliveira da Silva; Galeazzo, Elisabete ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Unidade: EP
Assuntos: MICROELETRÔNICA, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DANTAS, Michel Oliveira da Silva et al. Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 07 nov. 2024. , 2003
APA
Dantas, M. O. da S., Galeazzo, E., Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (2003). Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. São Paulo: EPUSP.
NLM
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. 2003 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. 2003 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
A influência de processos químicos após a formação de silício poroso. (também em CD-Rom) (1998)
Beltran, A.; Galeazzo, Elisabete
Fonte: 6.SICUSP : resumos. Nome do evento: Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP
Assuntos: SILÍCIO, PROCESSOS QUÍMICOS
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ABNT
BELTRAN, A. e GALEAZZO, Elisabete. A influência de processos químicos após a formação de silício poroso. (também em CD-Rom). 1998, Anais.. São Paulo: USP, 1998. . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Beltran, A., & Galeazzo, E. (1998). A influência de processos químicos após a formação de silício poroso. (também em CD-Rom). In 6.SICUSP : resumos. São Paulo: USP.
NLM
Beltran A, Galeazzo E. A influência de processos químicos após a formação de silício poroso. (também em CD-Rom). 6.SICUSP : resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Beltran A, Galeazzo E. A influência de processos químicos após a formação de silício poroso. (também em CD-Rom). 6.SICUSP : resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 07 ]

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