Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo 
; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Hipólito, Oscar; Ranz, E; Portal, J C
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. . Acesso em: 05 nov. 2024.APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Ioriatti Júnior, L. C., Hipólito, O., Ranz, E., & Portal, J. C. (1990). Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf.NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2024 nov. 05 ]Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2024 nov. 05 ]
