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Dissertação (Mestrado)
Investigação teórica de nanoestruturas do tipo grafeno para aplicação em baterias de íons de lítio (2018)
Nascimento, Bruno Bueno Ipaves ; Assali, L. V. C. (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS, FÍSICA COMPUTACIONAL
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ABNT
NASCIMENTO, Bruno Bueno Ipaves. Investigação teórica de nanoestruturas do tipo grafeno para aplicação em baterias de íons de lítio. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-22052018-154906/. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Nascimento, B. B. I. (2018). Investigação teórica de nanoestruturas do tipo grafeno para aplicação em baterias de íons de lítio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-22052018-154906/
NLM
Nascimento BBI. Investigação teórica de nanoestruturas do tipo grafeno para aplicação em baterias de íons de lítio [Internet]. 2018 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-22052018-154906/
Vancouver
Nascimento BBI. Investigação teórica de nanoestruturas do tipo grafeno para aplicação em baterias de íons de lítio [Internet]. 2018 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-22052018-154906/
Dissertação (Mestrado)
Caracterização estrutural e eletrônica de impurezas de hidrogênio em MgO (2013)
Santos, Samuel Silva dos; Assali, L. V. C. (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS, FÍSICA COMPUTACIONAL
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ABNT
SANTOS, Samuel Silva dos. Caracterização estrutural e eletrônica de impurezas de hidrogênio em MgO. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27112014-150255/. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Santos, S. S. dos. (2013). Caracterização estrutural e eletrônica de impurezas de hidrogênio em MgO (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27112014-150255/
NLM
Santos SS dos. Caracterização estrutural e eletrônica de impurezas de hidrogênio em MgO [Internet]. 2013 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27112014-150255/
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Santos SS dos. Caracterização estrutural e eletrônica de impurezas de hidrogênio em MgO [Internet]. 2013 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27112014-150255/
Tese (Doutorado)
Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO:: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade (2012)
Oliveira, Glaura Caroena Azevedo de; Assali, L. V. C. (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS
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ABNT
OLIVEIRA, Glaura Caroena Azevedo de. Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO:: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Oliveira, G. C. A. de. (2012). Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO:: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/
NLM
Oliveira GCA de. Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO:: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade [Internet]. 2012 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/
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Oliveira GCA de. Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO:: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade [Internet]. 2012 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/
Dissertação (Mestrado)
Caracterização estrutural e eletrõnica da zircônia pura e com defeitos e impurezas (2011)
Santos, Michel Lacerda Marcondes dos; Assali, L. V. C. (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS, ZIRCÔNIO
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ABNT
SANTOS, Michel Lacerda Marcondes dos. Caracterização estrutural e eletrõnica da zircônia pura e com defeitos e impurezas. 2011. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-29022012-135344/. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Santos, M. L. M. dos. (2011). Caracterização estrutural e eletrõnica da zircônia pura e com defeitos e impurezas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-29022012-135344/
NLM
Santos MLM dos. Caracterização estrutural e eletrõnica da zircônia pura e com defeitos e impurezas [Internet]. 2011 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-29022012-135344/
Vancouver
Santos MLM dos. Caracterização estrutural e eletrõnica da zircônia pura e com defeitos e impurezas [Internet]. 2011 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-29022012-135344/
Tese (Doutorado)
Propriedades físicas de diamantóide (2010)
Garcia, Joelson Cott; Assali, L. V. C. (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, Joelson Cott. Propriedades físicas de diamantóide. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052010-082619/. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Garcia, J. C. (2010). Propriedades físicas de diamantóide (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052010-082619/
NLM
Garcia JC. Propriedades físicas de diamantóide [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052010-082619/
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Garcia JC. Propriedades físicas de diamantóide [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052010-082619/
Tese (Doutorado)
Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" (2005)
Oliveira Neto, Frederico Ayres de; Assali, L. V. C. (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA NETO, Frederico Ayres de. Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2". 2005. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/. Acesso em: 15 nov. 2024.
APA
Oliveira Neto, F. A. de. (2005). Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/
NLM
Oliveira Neto FA de. Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" [Internet]. 2005 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/
Vancouver
Oliveira Neto FA de. Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" [Internet]. 2005 ;[citado 2024 nov. 15 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/

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