Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si (2003)
Assali, L. V. C. 
; Gan, F; Kimberling, L C; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Applied Physics A-Materials Science & Processing. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, LUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si. Applied Physics A-Materials Science & Processing, v. 76, n. 6, p. 991-997, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s00339-002-1990-7. Acesso em: 15 nov. 2024.APA
Assali, L. V. C., Gan, F., Kimberling, L. C., & Justo Filho, J. F. (2003). Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si. Applied Physics A-Materials Science & Processing, 76( 6), 991-997. doi:10.1007/s00339-002-1990-7NLM
Assali LVC, Gan F, Kimberling LC, Justo Filho JF. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si [Internet]. Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2003 ; 76( 6): 991-997.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00339-002-1990-7Vancouver
Assali LVC, Gan F, Kimberling LC, Justo Filho JF. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si [Internet]. Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2003 ; 76( 6): 991-997.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00339-002-1990-7
