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Trabalho de evento
Cálculo de tensões residuais em filmes finos através de difração de raios-X com ângulo de incidência rasante (2008)
Mady, Carlos Eduardo Keutenedjian ; Gómez Gómez, Adriana ; Souza, Roberto Martins de ; Tanaka, Deniol Katsuki
Source: Anais. Conference titles: Encontro de Iniciação Científica Laboratório de Fenômenos de Superfície, Departamento de Engenharia Mecânica. Unidade: EP
Subjects: TENSÃO RESIDUAL, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, FILMES FINOS
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ABNT
MADY, Carlos Eduardo Keutenedjian et al. Cálculo de tensões residuais em filmes finos através de difração de raios-X com ângulo de incidência rasante. 2008, Anais.. São Paulo: EPUSP, 2008. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/38166894-3c7e-41a6-997a-9956500a4852/Tanaka-2008-C%C3%A1lculo%20de%20tens%C3%B5es%20residuais%20em%20filmes%20finos%20atrav%C3%A9s%20ok.pdf. Acesso em: 22 jul. 2024.
APA
Mady, C. E. K., Gómez Gómez, A., Souza, R. M. de, & Tanaka, D. K. (2008). Cálculo de tensões residuais em filmes finos através de difração de raios-X com ângulo de incidência rasante. In Anais. São Paulo: EPUSP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/38166894-3c7e-41a6-997a-9956500a4852/Tanaka-2008-C%C3%A1lculo%20de%20tens%C3%B5es%20residuais%20em%20filmes%20finos%20atrav%C3%A9s%20ok.pdf
NLM
Mady CEK, Gómez Gómez A, Souza RM de, Tanaka DK. Cálculo de tensões residuais em filmes finos através de difração de raios-X com ângulo de incidência rasante [Internet]. Anais. 2008 ;[citado 2024 jul. 22 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/38166894-3c7e-41a6-997a-9956500a4852/Tanaka-2008-C%C3%A1lculo%20de%20tens%C3%B5es%20residuais%20em%20filmes%20finos%20atrav%C3%A9s%20ok.pdf
Vancouver
Mady CEK, Gómez Gómez A, Souza RM de, Tanaka DK. Cálculo de tensões residuais em filmes finos através de difração de raios-X com ângulo de incidência rasante [Internet]. Anais. 2008 ;[citado 2024 jul. 22 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/38166894-3c7e-41a6-997a-9956500a4852/Tanaka-2008-C%C3%A1lculo%20de%20tens%C3%B5es%20residuais%20em%20filmes%20finos%20atrav%C3%A9s%20ok.pdf
Relatorio tecnico
Uso de filme fino adsorvente para o desenvolvimento de sistemas de retenção de compostos orgânicos (2007)
Hernandez, Leonardo Frois; Silva, Maria Lucia Pereira da
Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, PLASMA (MICROELETRÔNICA)
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ABNT
HERNANDEZ, Leonardo Frois e SILVA, Maria Lucia Pereira da. Uso de filme fino adsorvente para o desenvolvimento de sistemas de retenção de compostos orgânicos. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 22 jul. 2024. , 2007
APA
Hernandez, L. F., & Silva, M. L. P. da. (2007). Uso de filme fino adsorvente para o desenvolvimento de sistemas de retenção de compostos orgânicos. São Paulo: EPUSP.
NLM
Hernandez LF, Silva MLP da. Uso de filme fino adsorvente para o desenvolvimento de sistemas de retenção de compostos orgânicos. 2007 ;[citado 2024 jul. 22 ]
Vancouver
Hernandez LF, Silva MLP da. Uso de filme fino adsorvente para o desenvolvimento de sistemas de retenção de compostos orgânicos. 2007 ;[citado 2024 jul. 22 ]
Trabalho de evento
Caracterização numérica do estado de tensões entre duas trincas consecutivas com diferentes espaçamentos (2007)
Angelo, Cristiane Martins; Fukumasu, Newton Kiyoshi ; Souza, Roberto Martins de
Source: Trabalhos apresentados. Conference titles: Encontro de Iniciação Científica Laboratório de Fenômenos de Superfíce. Unidade: EP
Subjects: FADIGA DAS ESTRUTURAS, MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS), FILMES FINOS, FRATURA DAS ESTRUTURAS
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ABNT
ANGELO, Cristiane Martins e FUKUMASU, Newton Kiyoshi e SOUZA, Roberto Martins de. Caracterização numérica do estado de tensões entre duas trincas consecutivas com diferentes espaçamentos. 2007, Anais.. São Paulo: EPUSP, 2007. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/bc4f6105-4559-4588-9e9d-843e19598858/Souza_RM-2007-caracterizacao%20numerica%20do%20estado%20de%20tensoes.pdf. Acesso em: 22 jul. 2024.
APA
Angelo, C. M., Fukumasu, N. K., & Souza, R. M. de. (2007). Caracterização numérica do estado de tensões entre duas trincas consecutivas com diferentes espaçamentos. In Trabalhos apresentados. São Paulo: EPUSP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/bc4f6105-4559-4588-9e9d-843e19598858/Souza_RM-2007-caracterizacao%20numerica%20do%20estado%20de%20tensoes.pdf
NLM
Angelo CM, Fukumasu NK, Souza RM de. Caracterização numérica do estado de tensões entre duas trincas consecutivas com diferentes espaçamentos [Internet]. Trabalhos apresentados. 2007 ;[citado 2024 jul. 22 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/bc4f6105-4559-4588-9e9d-843e19598858/Souza_RM-2007-caracterizacao%20numerica%20do%20estado%20de%20tensoes.pdf
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Angelo CM, Fukumasu NK, Souza RM de. Caracterização numérica do estado de tensões entre duas trincas consecutivas com diferentes espaçamentos [Internet]. Trabalhos apresentados. 2007 ;[citado 2024 jul. 22 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/bc4f6105-4559-4588-9e9d-843e19598858/Souza_RM-2007-caracterizacao%20numerica%20do%20estado%20de%20tensoes.pdf
Trabalho de evento
Influência do método de cálculo da área de contato e módulo de elasticidade na medida de tensões residuais pela técnica de indentação instrumentada (2006)
Katsuragi, Gustavo; Moré Farías, María Cristina ; Souza, Roberto Martins de
Source: Anais dos trabalhos de formatura - 2006. Conference titles: Simpósio de Projetos Integrados em Engenharia Mecânica. Unidade: EP
Subjects: TENSÃO RESIDUAL, FILMES FINOS
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ABNT
KATSURAGI, Gustavo e MORÉ FARÍAS, María Cristina e SOUZA, Roberto Martins de. Influência do método de cálculo da área de contato e módulo de elasticidade na medida de tensões residuais pela técnica de indentação instrumentada. 2006, Anais.. São Paulo: EPUSP, 2006. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e52808dd-e8a7-445a-bd14-40e23e1cdfeb/Souza_RM-2006-influencia%20do%20metodo%20de%20calculo%20da%20area-CONEM.pdf. Acesso em: 22 jul. 2024.
APA
Katsuragi, G., Moré Farías, M. C., & Souza, R. M. de. (2006). Influência do método de cálculo da área de contato e módulo de elasticidade na medida de tensões residuais pela técnica de indentação instrumentada. In Anais dos trabalhos de formatura - 2006. São Paulo: EPUSP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e52808dd-e8a7-445a-bd14-40e23e1cdfeb/Souza_RM-2006-influencia%20do%20metodo%20de%20calculo%20da%20area-CONEM.pdf
NLM
Katsuragi G, Moré Farías MC, Souza RM de. Influência do método de cálculo da área de contato e módulo de elasticidade na medida de tensões residuais pela técnica de indentação instrumentada [Internet]. Anais dos trabalhos de formatura - 2006. 2006 ;[citado 2024 jul. 22 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e52808dd-e8a7-445a-bd14-40e23e1cdfeb/Souza_RM-2006-influencia%20do%20metodo%20de%20calculo%20da%20area-CONEM.pdf
Vancouver
Katsuragi G, Moré Farías MC, Souza RM de. Influência do método de cálculo da área de contato e módulo de elasticidade na medida de tensões residuais pela técnica de indentação instrumentada [Internet]. Anais dos trabalhos de formatura - 2006. 2006 ;[citado 2024 jul. 22 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e52808dd-e8a7-445a-bd14-40e23e1cdfeb/Souza_RM-2006-influencia%20do%20metodo%20de%20calculo%20da%20area-CONEM.pdf
Relatorio tecnico
Avaliação da adsorção de compostos orgânicos por filmes finos metálicos (2005)
Carvalho, Alexsander Tressino de; Silva, Maria Lucia Pereira da
Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, ESPECTROSCOPIA INFRAVERMELHA
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ABNT
CARVALHO, Alexsander Tressino de e SILVA, Maria Lucia Pereira da. Avaliação da adsorção de compostos orgânicos por filmes finos metálicos. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 22 jul. 2024. , 2005
APA
Carvalho, A. T. de, & Silva, M. L. P. da. (2005). Avaliação da adsorção de compostos orgânicos por filmes finos metálicos. São Paulo: EPUSP.
NLM
Carvalho AT de, Silva MLP da. Avaliação da adsorção de compostos orgânicos por filmes finos metálicos. 2005 ;[citado 2024 jul. 22 ]
Vancouver
Carvalho AT de, Silva MLP da. Avaliação da adsorção de compostos orgânicos por filmes finos metálicos. 2005 ;[citado 2024 jul. 22 ]
Relatorio tecnico
Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures (2002)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 22 jul. 2024. , 2002
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (2002). Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures. São Paulo: EPUSP.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures. 2002 ;[citado 2024 jul. 22 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures. 2002 ;[citado 2024 jul. 22 ]
Relatorio tecnico
Highly conductive N-Type micron s-Si:H films deposited at very low temperature (2002)
Nardes, Alexandre Mantovani; Dirani, Ely Antonio Tadeu
Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NARDES, Alexandre Mantovani e DIRANI, Ely Antonio Tadeu. Highly conductive N-Type micron s-Si:H films deposited at very low temperature. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 22 jul. 2024. , 2002
APA
Nardes, A. M., & Dirani, E. A. T. (2002). Highly conductive N-Type micron s-Si:H films deposited at very low temperature. São Paulo: EPUSP.
NLM
Nardes AM, Dirani EAT. Highly conductive N-Type micron s-Si:H films deposited at very low temperature. 2002 ;[citado 2024 jul. 22 ]
Vancouver
Nardes AM, Dirani EAT. Highly conductive N-Type micron s-Si:H films deposited at very low temperature. 2002 ;[citado 2024 jul. 22 ]
Relatorio tecnico
New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor (2002)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 22 jul. 2024. , 2002
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2002). New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. São Paulo: EPUSP.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. 2002 ;[citado 2024 jul. 22 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. 2002 ;[citado 2024 jul. 22 ]
Relatorio tecnico
A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices (2002)
Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio
Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley e MARTINO, João Antonio. A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 22 jul. 2024. , 2002
APA
Nicolett, A. S., & Martino, J. A. (2002). A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices. São Paulo: EPUSP.
NLM
Nicolett AS, Martino JA. A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices. 2002 ;[citado 2024 jul. 22 ]
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA. A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices. 2002 ;[citado 2024 jul. 22 ]

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