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  • Artigo de periodico

    From amorphous to crystalline silicon nanoclusters: structural effects on exciton properties (2011)

    Borrero-González, L. J.; Nunes, Luiz Antônio de Oliveira ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Wojcik, J.; Mascher, P.; Gennaro, A. M.; Tirado, M.; Comedi, D.

    Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IFSC

    Subjects: NANOTECNOLOGIA, SILÍCIO, FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      BORRERO-GONZÁLEZ, L. J. et al. From amorphous to crystalline silicon nanoclusters: structural effects on exciton properties. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 23, n. 50, p. 505302-1-505302-10, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/23/50/505302. Acesso em: 04 nov. 2024.

    • APA

      Borrero-González, L. J., Nunes, L. A. de O., Guimarães, F. E. G., Wojcik, J., Mascher, P., Gennaro, A. M., et al. (2011). From amorphous to crystalline silicon nanoclusters: structural effects on exciton properties. Journal of Physics: Condensed Matter, 23( 50), 505302-1-505302-10. doi:10.1088/0953-8984/23/50/505302

    • NLM

      Borrero-González LJ, Nunes LA de O, Guimarães FEG, Wojcik J, Mascher P, Gennaro AM, Tirado M, Comedi D. From amorphous to crystalline silicon nanoclusters: structural effects on exciton properties [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2011 ; 23( 50): 505302-1-505302-10.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/23/50/505302

    • Vancouver

      Borrero-González LJ, Nunes LA de O, Guimarães FEG, Wojcik J, Mascher P, Gennaro AM, Tirado M, Comedi D. From amorphous to crystalline silicon nanoclusters: structural effects on exciton properties [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2011 ; 23( 50): 505302-1-505302-10.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/23/50/505302

  • Trabalho de evento-resumo

    Elastic relaxation of porous silicon (2008)

    Pusep, Yuri A ; Rodrigues, A. de Giovanni; Galzerani, J. C.; Arce, R. D.; Koropecki, R. R.; Comedi, D.

    Source: Abstracts. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA, SILICONE, ELASTICIDADE (PROPRIEDADES), FILMES FINOS, ESPECTROSCOPIA RAMAN

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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Elastic relaxation of porous silicon. 2008, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat, 2008. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf. Acesso em: 04 nov. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Rodrigues, A. de G., Galzerani, J. C., Arce, R. D., Koropecki, R. R., & Comedi, D. (2008). Elastic relaxation of porous silicon. In Abstracts. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf

    • NLM

      Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Arce RD, Koropecki RR, Comedi D. Elastic relaxation of porous silicon [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf

    • Vancouver

      Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Arce RD, Koropecki RR, Comedi D. Elastic relaxation of porous silicon [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf

  • Artigo de periodico

    Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films (2003)

    Iñiguez, A. C.; Campomanes, R. R.; Tabacniks, Manfredo ; Comedi, D.

    Source: Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA NUCLEAR, FILMES FINOS, TITÂNIO, ESPALHAMENTO, ÍONS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X

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    • ABNT

      IÑIGUEZ, A. C. et al. Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, v. 22, n. 1, p. 22-24, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174. Acesso em: 04 nov. 2024.

    • APA

      Iñiguez, A. C., Campomanes, R. R., Tabacniks, M., & Comedi, D. (2003). Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, 22( 1), 22-24. Recuperado de http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174

    • NLM

      Iñiguez AC, Campomanes RR, Tabacniks M, Comedi D. Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2003 ; 22( 1): 22-24.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174

    • Vancouver

      Iñiguez AC, Campomanes RR, Tabacniks M, Comedi D. Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2003 ; 22( 1): 22-24.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174
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