ReP USP - Resultado da busca

Filtros : "FILMES FINOS" "Comedi, D." Removido: "Wojcik, J." Limpar

Filtros

USP affiliated authors
- poussep, iouri (~1)
- tabacniks, manfredo harri (~1)
Date published
- 2008 (~1)
- 2003 (~1)
Subjects
- filmes finos (2)
- difração por raios x (1)
- elasticidade (propriedades) (1)
- espalhamento (1)
- espectroscopia raman (1)

Trabalho de evento-resumo
Elastic relaxation of porous silicon (2008)
Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. de Giovanni; Galzerani, J. C.; Arce, R. D.; Koropecki, R. R.; Comedi, D.
Source: Abstracts. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA, SILICONE, ELASTICIDADE (PROPRIEDADES), FILMES FINOS, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Elastic relaxation of porous silicon. 2008, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat, 2008. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. de G., Galzerani, J. C., Arce, R. D., Koropecki, R. R., & Comedi, D. (2008). Elastic relaxation of porous silicon. In Abstracts. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf
NLM
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Arce RD, Koropecki RR, Comedi D. Elastic relaxation of porous silicon [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 out. 03 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Arce RD, Koropecki RR, Comedi D. Elastic relaxation of porous silicon [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 out. 03 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G502.pdf
Artigo de periodico
Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films (2003)
Iñiguez, A. C.; Campomanes, R. R.; Tabacniks, Manfredo ; Comedi, D.
Source: Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, FILMES FINOS, TITÂNIO, ESPALHAMENTO, ÍONS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
IÑIGUEZ, A. C. et al. Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, v. 22, n. 1, p. 22-24, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Iñiguez, A. C., Campomanes, R. R., Tabacniks, M., & Comedi, D. (2003). Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, 22( 1), 22-24. Recuperado de http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174
NLM
Iñiguez AC, Campomanes RR, Tabacniks M, Comedi D. Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2003 ; 22( 1): 22-24.[citado 2024 out. 03 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174
Vancouver
Iñiguez AC, Campomanes RR, Tabacniks M, Comedi D. Influence of O2 flow rate on growth rate, composition and structure of RF-sputtered TiOx films [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2003 ; 22( 1): 22-24.[citado 2024 out. 03 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/index.php/rbav/article/view/174

Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo 2012 - 2024