Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada (1988)
Source: Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. Unidades: IEE, EP
Assunto: FÍSICO-QUÍMICA
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ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de e MOLINA TORRES, L C. Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, v. 1 , p. 141-62, 1988Tradução . . Acesso em: 13 ago. 2024.APA
Andrade, C. A. M. de, & Molina Torres, L. C. (1988). Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, 1 , 141-62.NLM
Andrade CAM de, Molina Torres LC. Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 141-62.[citado 2024 ago. 13 ]Vancouver
Andrade CAM de, Molina Torres LC. Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 141-62.[citado 2024 ago. 13 ]
