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Trabalho de evento-resumo
Electron paramagnetic resonance of localized spins in topological insulator candidates (2024)
Aller, G.; Quito, Victor Luiz ; Souza, Jean Carlo; Pagliuso, Pascoal Jose Giglio ; Miranda, Eduardo
Fonte: Program. Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Assuntos: FÍSICA TEÓRICA, SEMICONDUTORES, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA ELETRÔNICA
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ABNT
ALLER, G. et al. Electron paramagnetic resonance of localized spins in topological insulator candidates. 2024, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2024. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0602-1.pdf. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Aller, G., Quito, V. L., Souza, J. C., Pagliuso, P. J. G., & Miranda, E. (2024). Electron paramagnetic resonance of localized spins in topological insulator candidates. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0602-1.pdf
NLM
Aller G, Quito VL, Souza JC, Pagliuso PJG, Miranda E. Electron paramagnetic resonance of localized spins in topological insulator candidates [Internet]. Program. 2024 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0602-1.pdf
Vancouver
Aller G, Quito VL, Souza JC, Pagliuso PJG, Miranda E. Electron paramagnetic resonance of localized spins in topological insulator candidates [Internet]. Program. 2024 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0602-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Parameter extraction from electrolyte-gated transistors dependent on the electrical characterization sweep time (2023)
Lucas Junior, Hélio José; Luginieski, Marcos ; Serbena, José Pedro Mansueto ; Seidel, Keli Fabiana
Fonte: Program. Nome do evento: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC
Assuntos: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
LUCAS JUNIOR, Hélio José et al. Parameter extraction from electrolyte-gated transistors dependent on the electrical characterization sweep time. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55641363-e742-4de8-8fe0-c39b89328000/3159688.pdf. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Lucas Junior, H. J., Luginieski, M., Serbena, J. P. M., & Seidel, K. F. (2023). Parameter extraction from electrolyte-gated transistors dependent on the electrical characterization sweep time. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/55641363-e742-4de8-8fe0-c39b89328000/3159688.pdf
NLM
Lucas Junior HJ, Luginieski M, Serbena JPM, Seidel KF. Parameter extraction from electrolyte-gated transistors dependent on the electrical characterization sweep time [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55641363-e742-4de8-8fe0-c39b89328000/3159688.pdf
Vancouver
Lucas Junior HJ, Luginieski M, Serbena JPM, Seidel KF. Parameter extraction from electrolyte-gated transistors dependent on the electrical characterization sweep time [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55641363-e742-4de8-8fe0-c39b89328000/3159688.pdf
Artigo de periodico
General model for charge carriers transport in electrolyte-gated transistors (2023)
Luginieski, Marcos ; Koehler, Marlus ; Serbena, José Pedro Mansueto ; Seidel, Keli Fabiana
Fonte: Advanced Theory and Simulations. Unidade: IFSC
Assuntos: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
LUGINIESKI, Marcos et al. General model for charge carriers transport in electrolyte-gated transistors. Advanced Theory and Simulations, v. 6, n. 5, p. 2200852-1-2200852-9 + supporting information, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/adts.202200852. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Luginieski, M., Koehler, M., Serbena, J. P. M., & Seidel, K. F. (2023). General model for charge carriers transport in electrolyte-gated transistors. Advanced Theory and Simulations, 6( 5), 2200852-1-2200852-9 + supporting information. doi:10.1002/adts.202200852
NLM
Luginieski M, Koehler M, Serbena JPM, Seidel KF. General model for charge carriers transport in electrolyte-gated transistors [Internet]. Advanced Theory and Simulations. 2023 ; 6( 5): 2200852-1-2200852-9 + supporting information.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1002/adts.202200852
Vancouver
Luginieski M, Koehler M, Serbena JPM, Seidel KF. General model for charge carriers transport in electrolyte-gated transistors [Internet]. Advanced Theory and Simulations. 2023 ; 6( 5): 2200852-1-2200852-9 + supporting information.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1002/adts.202200852
Trabalho de evento-resumo
Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage (2023)
Seidel, Keli Fabiana; Lucas Junior, Hélio José; Patrzyk, Jéssica Nayara; Luginieski, Marcos ; Serbena, José Pedro Mansueto
Fonte: Program. Nome do evento: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC
Assuntos: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
SEIDEL, Keli Fabiana et al. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Seidel, K. F., Lucas Junior, H. J., Patrzyk, J. N., Luginieski, M., & Serbena, J. P. M. (2023). Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf
NLM
Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf
Vancouver
Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20 (2022)
Miranda, Caetano Rodrigues ; Sipahi, Guilherme Matos (cur) ; Assali, Lucy Vitoria Credidio (cur) ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur)
Unidades: IF, IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. . São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. . Acesso em: 06 nov. 2024. , 2022
APA
Miranda, C. R. (2022). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA.
NLM
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento-resumo
Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers (2021)
Sandoval, Marcelo A. Toloza; Sipahi, Guilherme Matos ; Andrada e Silva, E. A.; Silva, A. Ferreira da
Fonte: Program. Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo A. Toloza et al. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. 2021, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2021. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Sandoval, M. A. T., Sipahi, G. M., Andrada e Silva, E. A., & Silva, A. F. da. (2021). Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
NLM
Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
Vancouver
Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19 (2019)
Souza, Jeanlex Soares de (cur); Hernandez, Felix Guillermo Gonzalez (cur) ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur) ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da (cur) ; Sipahi, Guilherme Matos (cur)
Unidades: IF, IQSC, IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19. . Fortaleza: Universidade Federal do Ceará - UFC. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf. Acesso em: 06 nov. 2024. , 2019
APA
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19. (2019). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19. Fortaleza: Universidade Federal do Ceará - UFC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf
NLM
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19 [Internet]. 2019 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf
Vancouver
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19 [Internet]. 2019 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf
Artigo de periodico
Stretchable persistent spin helices in GaAs quantum wells (2017)
Dettwiler, Florian; Fu, Jiyong; Mack, Shawn; Weigele, Pirmin J.; Egues, José Carlos ; Awschalom, David D.; Zumbühl, Dominik M.
Fonte: Physical Review X. Unidade: IFSC
Assuntos: FÍSICA TEÓRICA, CAMPO MAGNÉTICO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DETTWILER, Florian et al. Stretchable persistent spin helices in GaAs quantum wells. Physical Review X, v. 7, n. 3, p. 031010-1-031010-8, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevX.7.031010. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Dettwiler, F., Fu, J., Mack, S., Weigele, P. J., Egues, J. C., Awschalom, D. D., & Zumbühl, D. M. (2017). Stretchable persistent spin helices in GaAs quantum wells. Physical Review X, 7( 3), 031010-1-031010-8. doi:10.1103/PhysRevX.7.031010
NLM
Dettwiler F, Fu J, Mack S, Weigele PJ, Egues JC, Awschalom DD, Zumbühl DM. Stretchable persistent spin helices in GaAs quantum wells [Internet]. Physical Review X. 2017 ; 7( 3): 031010-1-031010-8.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevX.7.031010
Vancouver
Dettwiler F, Fu J, Mack S, Weigele PJ, Egues JC, Awschalom DD, Zumbühl DM. Stretchable persistent spin helices in GaAs quantum wells [Internet]. Physical Review X. 2017 ; 7( 3): 031010-1-031010-8.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevX.7.031010
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 18 (2017)
Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur); Hernandez, Felix Guillermo Gonzalez (cur); Gusev, Gennady (cur); Egues, José Carlos (cur) ; Caldas, Marília Junqueira (cur); Sipahi, Guilherme Matos (cur) ; Chitta, Valmir Antonio (cur)
Unidades: IF, IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 18. . São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física - IFUSP. . Acesso em: 06 nov. 2024. , 2017
APA
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 18. (2017). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 18. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física - IFUSP.
NLM
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 18. 2017 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 18. 2017 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Curadoria
U.S. - Brazil Young Physicists Forum for Early Career Physicists (2016)
Mendonça, Cleber Renato (cur) ; Paduan-Filho, A. (cur)
Unidades: IFSC, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
U.S. - Brazil Young Physicists Forum for Early Career Physicists. . São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. . Acesso em: 06 nov. 2024. , 2016
APA
U.S. - Brazil Young Physicists Forum for Early Career Physicists. (2016). U.S. - Brazil Young Physicists Forum for Early Career Physicists. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
NLM
U.S. - Brazil Young Physicists Forum for Early Career Physicists. 2016 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
U.S. - Brazil Young Physicists Forum for Early Career Physicists. 2016 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Artigo de periodico
Spin-orbit interaction in GaAs wells: from one to two subbands (2015)
Fu, Jiyong; Egues, José Carlos
Fonte: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FU, Jiyong e EGUES, José Carlos. Spin-orbit interaction in GaAs wells: from one to two subbands. Physical Review B, v. 91, n. 7, p. 075408-1-075408-7, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.91.075408. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Fu, J., & Egues, J. C. (2015). Spin-orbit interaction in GaAs wells: from one to two subbands. Physical Review B, 91( 7), 075408-1-075408-7. doi:10.1103/PhysRevB.91.075408
NLM
Fu J, Egues JC. Spin-orbit interaction in GaAs wells: from one to two subbands [Internet]. Physical Review B. 2015 ; 91( 7): 075408-1-075408-7.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.91.075408
Vancouver
Fu J, Egues JC. Spin-orbit interaction in GaAs wells: from one to two subbands [Internet]. Physical Review B. 2015 ; 91( 7): 075408-1-075408-7.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.91.075408
Artigo de periodico
All-electron topological insulator in InAs double wells (2015)
Erlingsson, Sigurdur I.; Egues, José Carlos
Fonte: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ERLINGSSON, Sigurdur I. e EGUES, José Carlos. All-electron topological insulator in InAs double wells. Physical Review B, v. 91, n. Ja 2015, p. 035312-1-035312-8, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.91.035312. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Erlingsson, S. I., & Egues, J. C. (2015). All-electron topological insulator in InAs double wells. Physical Review B, 91( Ja 2015), 035312-1-035312-8. doi:10.1103/PhysRevB.91.035312
NLM
Erlingsson SI, Egues JC. All-electron topological insulator in InAs double wells [Internet]. Physical Review B. 2015 ; 91( Ja 2015): 035312-1-035312-8.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.91.035312
Vancouver
Erlingsson SI, Egues JC. All-electron topological insulator in InAs double wells [Internet]. Physical Review B. 2015 ; 91( Ja 2015): 035312-1-035312-8.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.91.035312
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of bulk HgTe and HgTe/CdTe (001) superlattices (2015)
Oliveira, Cláudio de; Alves, Horácio Wagner Leite; Egues, José Carlos
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Cláudio de e ALVES, Horácio Wagner Leite e EGUES, José Carlos. Electronic properties of bulk HgTe and HgTe/CdTe (001) superlattices. 2015, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2015. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=ASFB. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., & Egues, J. C. (2015). Electronic properties of bulk HgTe and HgTe/CdTe (001) superlattices. In Proceedings. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=ASFB
NLM
Oliveira C de, Alves HWL, Egues JC. Electronic properties of bulk HgTe and HgTe/CdTe (001) superlattices [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=ASFB
Vancouver
Oliveira C de, Alves HWL, Egues JC. Electronic properties of bulk HgTe and HgTe/CdTe (001) superlattices [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=ASFB
Trabalho de evento-resumo
Time-evolution of wave-packets in topological insulators (2015)
Ferreira, Gerson J.; Penteado, Poliana H.; Egues, José Carlos
Fonte: Technical Summaries. Nome do evento: Optics and Photonics. Unidade: IFSC
Assuntos: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, FÍSICA TEÓRICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERREIRA, Gerson J. e PENTEADO, Poliana H. e EGUES, José Carlos. Time-evolution of wave-packets in topological insulators. 2015, Anais.. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE, 2015. Disponível em: http://spie.org/Documents/ConferencesExhibitions/OP15-abstracts.pdf. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Ferreira, G. J., Penteado, P. H., & Egues, J. C. (2015). Time-evolution of wave-packets in topological insulators. In Technical Summaries. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Recuperado de http://spie.org/Documents/ConferencesExhibitions/OP15-abstracts.pdf
NLM
Ferreira GJ, Penteado PH, Egues JC. Time-evolution of wave-packets in topological insulators [Internet]. Technical Summaries. 2015 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://spie.org/Documents/ConferencesExhibitions/OP15-abstracts.pdf
Vancouver
Ferreira GJ, Penteado PH, Egues JC. Time-evolution of wave-packets in topological insulators [Internet]. Technical Summaries. 2015 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://spie.org/Documents/ConferencesExhibitions/OP15-abstracts.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of the electronic properties of bulk HgTe and HgTe/CdTe (001) superlattices (2015)
Oliveira, Cláudio de; Alves, Horácio Wagner Leite; Egues, José Carlos
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Cláudio de e ALVES, Horácio Wagner Leite e EGUES, José Carlos. Theoretical study of the electronic properties of bulk HgTe and HgTe/CdTe (001) superlattices. 2015, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R1041-1.pdf. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., & Egues, J. C. (2015). Theoretical study of the electronic properties of bulk HgTe and HgTe/CdTe (001) superlattices. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R1041-1.pdf
NLM
Oliveira C de, Alves HWL, Egues JC. Theoretical study of the electronic properties of bulk HgTe and HgTe/CdTe (001) superlattices [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R1041-1.pdf
Vancouver
Oliveira C de, Alves HWL, Egues JC. Theoretical study of the electronic properties of bulk HgTe and HgTe/CdTe (001) superlattices [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R1041-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Time-evolution of wave-packets in topological insulators (2014)
Ferreira, Gerson J.; Penteado, Poliana H.; Egues, José Carlos
Fonte: Resumos. Nome do evento: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica - EBEE. Unidade: IFSC
Assuntos: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, FÍSICA TEÓRICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERREIRA, Gerson J. e PENTEADO, Poliana H. e EGUES, José Carlos. Time-evolution of wave-packets in topological insulators. 2014, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2014. Disponível em: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Ferreira, G. J., Penteado, P. H., & Egues, J. C. (2014). Time-evolution of wave-packets in topological insulators. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
NLM
Ferreira GJ, Penteado PH, Egues JC. Time-evolution of wave-packets in topological insulators [Internet]. Resumos. 2014 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
Vancouver
Ferreira GJ, Penteado PH, Egues JC. Time-evolution of wave-packets in topological insulators [Internet]. Resumos. 2014 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16 (2013)
Sipahi, Guilherme Matos (cur) ; Caldas, Marília Junqueira (cur); Pusep, Yuri A (cur) ; Egues, José Carlos (cur)
Unidades: IFSC, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. . São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. . Acesso em: 06 nov. 2024. , 2013
APA
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. (2013). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. 2013 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. 2013 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento-resumo
Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules (2011)
Piacente, Giovanni; Marques, Gilmar E.; López-Richard, Victor; Hai, Guo-Qiang
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro de Física. Unidade: IFSC
Assuntos: FÍSICA TEÓRICA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIACENTE, Giovanni et al. Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules. 2011, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2135-1.pdf. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Piacente, G., Marques, G. E., López-Richard, V., & Hai, G. -Q. (2011). Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2135-1.pdf
NLM
Piacente G, Marques GE, López-Richard V, Hai G-Q. Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules [Internet]. Resumos. 2011 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2135-1.pdf
Vancouver
Piacente G, Marques GE, López-Richard V, Hai G-Q. Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules [Internet]. Resumos. 2011 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2135-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules (2011)
Piacente, Giovanni; Marques, Gilmar E.; Lopez, Victor Richard; Hai, Guo-Qiang
Fonte: Abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Assuntos: FÍSICA TEÓRICA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIACENTE, Giovanni et al. Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules. 2011, Anais.. Juiz de Fora: Universidade Federal de Juiz de Fora - UFJF, 2011. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Piacente, G., Marques, G. E., Lopez, V. R., & Hai, G. -Q. (2011). Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules. In Abstracts. Juiz de Fora: Universidade Federal de Juiz de Fora - UFJF.
NLM
Piacente G, Marques GE, Lopez VR, Hai G-Q. Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules. Abstracts. 2011 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Piacente G, Marques GE, Lopez VR, Hai G-Q. Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules. Abstracts. 2011 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento-resumo
Spin-orbit coupling in InAs-based wurtzite quantum wells (2011)
Fu, Jiyong; Penteado, Poliana H.; Bernardes, Esmerindo de Sousa ; Egues, José Carlos
Fonte: Abstracts. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Assuntos: FÍSICA TEÓRICA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FU, Jiyong et al. Spin-orbit coupling in InAs-based wurtzite quantum wells. 2011, Anais.. Juiz de Fora: Universidade Federal de Juiz de Fora - UFJF, 2011. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Fu, J., Penteado, P. H., Bernardes, E. de S., & Egues, J. C. (2011). Spin-orbit coupling in InAs-based wurtzite quantum wells. In Abstracts. Juiz de Fora: Universidade Federal de Juiz de Fora - UFJF.
NLM
Fu J, Penteado PH, Bernardes E de S, Egues JC. Spin-orbit coupling in InAs-based wurtzite quantum wells. Abstracts. 2011 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Fu J, Penteado PH, Bernardes E de S, Egues JC. Spin-orbit coupling in InAs-based wurtzite quantum wells. Abstracts. 2011 ;[citado 2024 nov. 06 ]

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