Iron-acceptor pairs in silicon: structure and formation processes (2001)
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA ELETRÔNICA, ELETROSTÁTICA, ELASTICIDADE
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ABNT
ZHAO, Song et al. Iron-acceptor pairs in silicon: structure and formation processes. Journal of Applied Physics, v. 90, n. 2744-2754, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1389763. Acesso em: 05 nov. 2024.APA
Zhao, S., Assali, L. V. C., Justo Filho, J. F., Gilmer, G. H., & Kimerling, L. C. (2001). Iron-acceptor pairs in silicon: structure and formation processes. Journal of Applied Physics, 90( 2744-2754). doi:10.1063/1.1389763NLM
Zhao S, Assali LVC, Justo Filho JF, Gilmer GH, Kimerling LC. Iron-acceptor pairs in silicon: structure and formation processes [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 2744-2754):[citado 2024 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389763Vancouver
Zhao S, Assali LVC, Justo Filho JF, Gilmer GH, Kimerling LC. Iron-acceptor pairs in silicon: structure and formation processes [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 2744-2754):[citado 2024 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389763