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  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, EFEITO HALL

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    • ABNT

      SERGIO, C S et al. Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
    • APA

      Sergio, C. S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Goussev, G. M., & Portal, J. C. (2005). Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf
    • NLM

      Sergio CS, Lamas TE, Quivy AA, Goussev GM, Portal JC. Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf
    • Vancouver

      Sergio CS, Lamas TE, Quivy AA, Goussev GM, Portal JC. Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, EFEITO HALL, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      CHITTA, Valmir Antonio et al. Multivalley transport and the integer quantum Hall effect in a PbTe quantum well. Physical Review B, v. 72, n. 19, p. 195326/1-195326/6, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.195326. Acesso em: 01 nov. 2024.
    • APA

      Chitta, V. A., Desrat, W., Maude, D. K., Piot, B. A., Oliveira Jr., N. F., Rappl, P. H. O., et al. (2005). Multivalley transport and the integer quantum Hall effect in a PbTe quantum well. Physical Review B, 72( 19), 195326/1-195326/6. doi:10.1103/physrevb.72.195326
    • NLM

      Chitta VA, Desrat W, Maude DK, Piot BA, Oliveira Jr. NF, Rappl PHO, Ueta AY, Abramof E. Multivalley transport and the integer quantum Hall effect in a PbTe quantum well [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 195326/1-195326/6.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.195326
    • Vancouver

      Chitta VA, Desrat W, Maude DK, Piot BA, Oliveira Jr. NF, Rappl PHO, Ueta AY, Abramof E. Multivalley transport and the integer quantum Hall effect in a PbTe quantum well [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 195326/1-195326/6.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.195326
  • Source: Thin Solid Films. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, EFEITO HALL, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

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    • ABNT

      LAMAS, T. E. et al. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004. Acesso em: 01 nov. 2024.
    • APA

      Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2005). Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, 474( 1-2), 25-30. doi:10.1016/j.tsf.2004.08.004
    • NLM

      Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
    • Vancouver

      Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, EFEITO HALL

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    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 71, n. 16, p. 165311/1-165311/8, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311. Acesso em: 01 nov. 2024.
    • APA

      Gusev, G. M., Duarte, C. A., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2005). Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, 71( 16), 165311/1-165311/8. doi:10.1103/physrevb.71.165311
    • NLM

      Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
    • Vancouver

      Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311

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