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  • Source: Thin Solid Films. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, EFEITO HALL, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

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    • ABNT

      LAMAS, T. E. et al. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004. Acesso em: 01 nov. 2024.
    • APA

      Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2005). Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, 474( 1-2), 25-30. doi:10.1016/j.tsf.2004.08.004
    • NLM

      Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
    • Vancouver

      Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, EFEITO HALL

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    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 71, n. 16, p. 165311/1-165311/8, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311. Acesso em: 01 nov. 2024.
    • APA

      Gusev, G. M., Duarte, C. A., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2005). Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, 71( 16), 165311/1-165311/8. doi:10.1103/physrevb.71.165311
    • NLM

      Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
    • Vancouver

      Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: RESISTÊNCIA DOS MATERIAIS, SEMICONDUTIVIDADE, EFEITO HALL

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    • ABNT

      SOTOMAYOR, N M et al. Negative linear classical magnetoresistance in a corrugated two-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 70, p. 235326/1-235326/6, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.70.235326. Acesso em: 01 nov. 2024.
    • APA

      Sotomayor, N. M., Gusev, G. M., Leite, J. R., & Bykov, A. A. (2004). Negative linear classical magnetoresistance in a corrugated two-dimensional electron gas. Physical Review B, 70, 235326/1-235326/6. doi:10.1103/physrevb.70.235326
    • NLM

      Sotomayor NM, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA. Negative linear classical magnetoresistance in a corrugated two-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2004 ; 70 235326/1-235326/6.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.70.235326
    • Vancouver

      Sotomayor NM, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA. Negative linear classical magnetoresistance in a corrugated two-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2004 ; 70 235326/1-235326/6.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.70.235326
  • Source: Microeletronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, EFEITO HALL, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SERGIO, C S et al. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microeletronics Journal, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6. Acesso em: 01 nov. 2024.
    • APA

      Sergio, C. S., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microeletronics Journal. doi:10.1016/S0026-2692(03)00121-6
    • NLM

      Sergio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microeletronics Journal. 2003 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6
    • Vancouver

      Sergio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microeletronics Journal. 2003 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6

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