Peres, Henrique Estanislau Maldonado 
; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PERES, Henrique Estanislau Maldonado e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 01 out. 2024.APA
Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (1997). Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.NLM
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]Vancouver
Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Caracterização de camadas de alta resistividade no silício obtidos por implantação iônica. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 out. 01 ]
