New leakage drain current model for high temperature soi mesfet (1995)
Source: Proceedings. Conference titles: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio e FLANDRE, M. New leakage drain current model for high temperature soi mesfet. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 01 out. 2024.APA
Bellodi, M., Martino, J. A., & Flandre, M. (1995). New leakage drain current model for high temperature soi mesfet. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.NLM
Bellodi M, Martino JA, Flandre M. New leakage drain current model for high temperature soi mesfet. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 out. 01 ]Vancouver
Bellodi M, Martino JA, Flandre M. New leakage drain current model for high temperature soi mesfet. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 out. 01 ]