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  • Relatorio tecnico

    Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators (2020)

    Fornari, Celso I; Abramof, Eduardo; Rappl, Paulo H O; Kycia, Stefan W; Morelhão, Sergio Luiz

    Unidade: IF

    Assuntos: FILMES FINOS, BISMUTO

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FORNARI, Celso I et al. Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2008/2008.02180.pdf. Acesso em: 05 nov. 2024. , 2020

    • APA

      Fornari, C. I., Abramof, E., Rappl, P. H. O., Kycia, S. W., & Morelhão, S. L. (2020). Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2008/2008.02180.pdf

    • NLM

      Fornari CI, Abramof E, Rappl PHO, Kycia SW, Morelhão SL. Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. 2020 ;[citado 2024 nov. 05 ] Available from: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2008/2008.02180.pdf

    • Vancouver

      Fornari CI, Abramof E, Rappl PHO, Kycia SW, Morelhão SL. Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. 2020 ;[citado 2024 nov. 05 ] Available from: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2008/2008.02180.pdf

  • Artigo de periodico

    Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators (2019)

    Morelhão, Sérgio L. ; Kycia, Stefan W.; Netzke, Samuel; Fornari, Celso I.; Rappl, Paulo H. O.; Abramof, Eduardo

    Fonte: The Journal of Physical Chemistry C. Unidade: IF

    Assuntos: RADIAÇÃO SINCROTRON, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, CRISTALOGRAFIA, BISMUTO

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MORELHÃO, Sérgio L. et al. Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. The Journal of Physical Chemistry C, v. 123, n. 40, p. 24818-24825, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1021/acs.jpcc.9b05377. Acesso em: 05 nov. 2024.

    • APA

      Morelhão, S. L., Kycia, S. W., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2019). Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. The Journal of Physical Chemistry C, 123( 40), 24818-24825. doi:10.1021/acs.jpcc.9b05377

    • NLM

      Morelhão SL, Kycia SW, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2019 ; 123( 40): 24818-24825.[citado 2024 nov. 05 ] Available from: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1021/acs.jpcc.9b05377

    • Vancouver

      Morelhão SL, Kycia SW, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2019 ; 123( 40): 24818-24825.[citado 2024 nov. 05 ] Available from: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1021/acs.jpcc.9b05377
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