Subjects: SEMICONDUTORES, ÓPTICA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALAZAR, David Gregorio Pacheco. Crescimento e caraterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 02 nov. 2024.APA
Salazar, D. G. P. (2004). Crescimento e caraterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.NLM
Salazar DGP. Crescimento e caraterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica. 2004 ;[citado 2024 nov. 02 ]Vancouver
Salazar DGP. Crescimento e caraterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica. 2004 ;[citado 2024 nov. 02 ]
