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Tese (Doutorado)
Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (2021)
Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (coorient)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/. Acesso em: 29 jun. 2024.
APA
Macambira, C. N. (2021). Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
NLM
Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 jun. 29 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
Vancouver
Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 jun. 29 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
Tese (Doutorado)
Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos (2008)
Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/. Acesso em: 29 jun. 2024.
APA
Agopian, P. G. D. (2008). Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/
NLM
Agopian PGD. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/
Vancouver
Agopian PGD. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/
Dissertação (Mestrado)
Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFET em baixas temperaturas (2003)
Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES (CARACTERÍSTICAS)
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ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFET em baixas temperaturas. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. . Acesso em: 29 jun. 2024.
APA
Agopian, P. G. D. (2003). Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFET em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Agopian PGD. Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFET em baixas temperaturas. 2003 ;[citado 2024 jun. 29 ]
Vancouver
Agopian PGD. Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFET em baixas temperaturas. 2003 ;[citado 2024 jun. 29 ]
Dissertação (Mestrado)
Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício ()
Tolêdo, Rodrigo do Nascimento; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS ANALÓGICOS
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ABNT
TOLÊDO, Rodrigo do Nascimento. Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício. [S.d.]. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, [S.d.]. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032024-114126/pt-br.php. Acesso em: 29 jun. 2024.
APA
Tolêdo, R. do N. Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032024-114126/pt-br.php
NLM
Tolêdo R do N. Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício [Internet]. [citado 2024 jun. 29 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032024-114126/pt-br.php
Vancouver
Tolêdo R do N. Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício [Internet]. [citado 2024 jun. 29 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032024-114126/pt-br.php

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