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Autores USP
- menegon, jair joao (~1)
- nigra, jose manuel riveros (~1)
- ornellas, fernando rei (~1)
Ano de publicação
- 2002 (~1)
- 2001 (~1)
Assuntos
- silício (2)
- adsorção (1)
- físico-química (1)
- germânio (1)
- química de superfície (1)

Artigo de periodico
Photodetachment of FSi'(OMe) IND. 4''POT. -' and FGe'(OMe) IND. 4''POT. -' anions: an experimental and theoretical study of gas-phase hypervalent Si and Ge species (2002)
Xavier, Luciano Aparecido; Morgon, Nelson Henrique; Menegon, Jair João; Riveros, José Manuel
Fonte: International Journal of Mass Spectrometry. Unidade: IQ
Assuntos: FÍSICO-QUÍMICA, GERMÂNIO, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
XAVIER, Luciano Aparecido et al. Photodetachment of FSi'(OMe) IND. 4''POT. -' and FGe'(OMe) IND. 4''POT. -' anions: an experimental and theoretical study of gas-phase hypervalent Si and Ge species. International Journal of Mass Spectrometry, v. 219, n. 3, p. 485-495, 2002Tradução . . Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Xavier, L. A., Morgon, N. H., Menegon, J. J., & Riveros, J. M. (2002). Photodetachment of FSi'(OMe) IND. 4''POT. -' and FGe'(OMe) IND. 4''POT. -' anions: an experimental and theoretical study of gas-phase hypervalent Si and Ge species. International Journal of Mass Spectrometry, 219( 3), 485-495.
NLM
Xavier LA, Morgon NH, Menegon JJ, Riveros JM. Photodetachment of FSi'(OMe) IND. 4''POT. -' and FGe'(OMe) IND. 4''POT. -' anions: an experimental and theoretical study of gas-phase hypervalent Si and Ge species. International Journal of Mass Spectrometry. 2002 ; 219( 3): 485-495.[citado 2024 nov. 02 ]
Vancouver
Xavier LA, Morgon NH, Menegon JJ, Riveros JM. Photodetachment of FSi'(OMe) IND. 4''POT. -' and FGe'(OMe) IND. 4''POT. -' anions: an experimental and theoretical study of gas-phase hypervalent Si and Ge species. International Journal of Mass Spectrometry. 2002 ; 219( 3): 485-495.[citado 2024 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Theoretical investigation of the initial steps of the adsorption of N atoms on Si(1 0 0)-2 X 1 (2001)
Ueno, Leonardo T.; Ornellas, Fernando Rei
Fonte: Surface Science. Unidade: IQ
Assuntos: QUÍMICA QUÂNTICA, QUÍMICA DE SUPERFÍCIE, SILÍCIO, ADSORÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
UENO, Leonardo T. e ORNELLAS, Fernando Rei. Theoretical investigation of the initial steps of the adsorption of N atoms on Si(1 0 0)-2 X 1. Surface Science, v. 490, n. 3, p. 637-643, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(01)01379-6. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Ueno, L. T., & Ornellas, F. R. (2001). Theoretical investigation of the initial steps of the adsorption of N atoms on Si(1 0 0)-2 X 1. Surface Science, 490( 3), 637-643. doi:10.1016/s0039-6028(01)01379-6
NLM
Ueno LT, Ornellas FR. Theoretical investigation of the initial steps of the adsorption of N atoms on Si(1 0 0)-2 X 1 [Internet]. Surface Science. 2001 ; 490( 3): 637-643.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(01)01379-6
Vancouver
Ueno LT, Ornellas FR. Theoretical investigation of the initial steps of the adsorption of N atoms on Si(1 0 0)-2 X 1 [Internet]. Surface Science. 2001 ; 490( 3): 637-643.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(01)01379-6

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