Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy (1991)
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian School on Semicondutores Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: SELÊNIO, TEMPERATURA
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ABNT
NOTARI, A. C. Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy. 1991, Anais.. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1991. . Acesso em: 15 jul. 2024.APA
Notari, A. C. (1991). Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.NLM
Notari AC. Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy. Proceedings. 1991 ;[citado 2024 jul. 15 ]Vancouver
Notari AC. Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy. Proceedings. 1991 ;[citado 2024 jul. 15 ]
