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  • Source: Advanced Materials Technologies. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, TRANSISTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos et al. High transconductance on thiophene-based vertical organic electrochemical transistors. Advanced Materials Technologies, v. 10, n. 24, p. e01083-1-e01083-9 + supporting information, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/admt.202501083. Acesso em: 03 jan. 2026.
    • APA

      Luginieski, M., Barbosa, H. F. de P., Kumar, A., Schander, A., Faria, G. C., & Lüssem, B. (2025). High transconductance on thiophene-based vertical organic electrochemical transistors. Advanced Materials Technologies, 10( 24), e01083-1-e01083-9 + supporting information. doi:10.1002/admt.202501083
    • NLM

      Luginieski M, Barbosa HF de P, Kumar A, Schander A, Faria GC, Lüssem B. High transconductance on thiophene-based vertical organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Materials Technologies. 2025 ; 10( 24): e01083-1-e01083-9 + supporting information.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1002/admt.202501083
    • Vancouver

      Luginieski M, Barbosa HF de P, Kumar A, Schander A, Faria GC, Lüssem B. High transconductance on thiophene-based vertical organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Materials Technologies. 2025 ; 10( 24): e01083-1-e01083-9 + supporting information.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1002/admt.202501083
  • Source: Physica Scripta. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, BIOFILMES, FOTOLUMINESCÊNCIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RAMBO, Everton Crestani et al. Does the substrate and a buffer layer have a greater influence on poly(3-hexylthiophene) films deposited by the chronocoulometry technique?. Physica Scripta, v. 99, n. 12, p. 125967-1-125967-11 + supplementary materials, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1402-4896/ad9181. Acesso em: 03 jan. 2026.
    • APA

      Rambo, E. C., Kolbow, A. C. H., Ramos, R. J., Chagas, E. F., Santana, H. de, Pereira, G. G. D., et al. (2024). Does the substrate and a buffer layer have a greater influence on poly(3-hexylthiophene) films deposited by the chronocoulometry technique? Physica Scripta, 99( 12), 125967-1-125967-11 + supplementary materials. doi:10.1088/1402-4896/ad9181
    • NLM

      Rambo EC, Kolbow ACH, Ramos RJ, Chagas EF, Santana H de, Pereira GGD, Marletta A, Therézio EM. Does the substrate and a buffer layer have a greater influence on poly(3-hexylthiophene) films deposited by the chronocoulometry technique? [Internet]. Physica Scripta. 2024 ; 99( 12): 125967-1-125967-11 + supplementary materials.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1402-4896/ad9181
    • Vancouver

      Rambo EC, Kolbow ACH, Ramos RJ, Chagas EF, Santana H de, Pereira GGD, Marletta A, Therézio EM. Does the substrate and a buffer layer have a greater influence on poly(3-hexylthiophene) films deposited by the chronocoulometry technique? [Internet]. Physica Scripta. 2024 ; 99( 12): 125967-1-125967-11 + supplementary materials.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1402-4896/ad9181
  • Source: Livro de resumos. Conference titles: Simpósio em Ciência e Engenharia de Materiais - SICEM. Unidades: IFSC, EESC

    Subjects: FILMES FINOS, VOLTAMETRIA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      BARBOSA, Henrique Frulani de Paula et al. Spectroelectrochemical characterization of doped P3HT for application in neuromorphic computing. 2020, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC, 2020. Disponível em: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2020/paper/view/2863/1622. Acesso em: 03 jan. 2026.
    • APA

      Barbosa, H. F. de P., Coutinho, D. J., Feitosa, B. de A., & Faria, G. C. (2020). Spectroelectrochemical characterization of doped P3HT for application in neuromorphic computing. In Livro de resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Escola de Engenharia de São Carlos - EESC. Recuperado de http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2020/paper/view/2863/1622
    • NLM

      Barbosa HF de P, Coutinho DJ, Feitosa B de A, Faria GC. Spectroelectrochemical characterization of doped P3HT for application in neuromorphic computing [Internet]. Livro de resumos. 2020 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2020/paper/view/2863/1622
    • Vancouver

      Barbosa HF de P, Coutinho DJ, Feitosa B de A, Faria GC. Spectroelectrochemical characterization of doped P3HT for application in neuromorphic computing [Internet]. Livro de resumos. 2020 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: http://soac.eesc.usp.br/index.php/SICEM/sicem2020/paper/view/2863/1622
  • Source: Synthetic Metals. Unidade: IFSC

    Subjects: TRANSISTORES, SOLVENTE, DIELÉTRICOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      CARDOSO, Lilian Soares e STEFANELO, Josiani Cristina e FARIA, Roberto Mendonça. Induced characteristics of n- and p-channel OFETs by the choice of solvent for the dielectric layer towards the fabrication of an organic complementary circuit. Synthetic Metals, v. 220, p. 286-291, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.synthmet.2016.06.023. Acesso em: 03 jan. 2026.
    • APA

      Cardoso, L. S., Stefanelo, J. C., & Faria, R. M. (2016). Induced characteristics of n- and p-channel OFETs by the choice of solvent for the dielectric layer towards the fabrication of an organic complementary circuit. Synthetic Metals, 220, 286-291. doi:10.1016/j.synthmet.2016.06.023
    • NLM

      Cardoso LS, Stefanelo JC, Faria RM. Induced characteristics of n- and p-channel OFETs by the choice of solvent for the dielectric layer towards the fabrication of an organic complementary circuit [Internet]. Synthetic Metals. 2016 ; 220 286-291.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.synthmet.2016.06.023
    • Vancouver

      Cardoso LS, Stefanelo JC, Faria RM. Induced characteristics of n- and p-channel OFETs by the choice of solvent for the dielectric layer towards the fabrication of an organic complementary circuit [Internet]. Synthetic Metals. 2016 ; 220 286-291.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.synthmet.2016.06.023
  • Unidade: IFSC

    Subjects: FILMES FINOS, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA), TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MACIEL, Alexandre de Castro. Fabricação e estudo das propriedades de transporte de transistores de filmes finos orgânicos. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-18122012-114317/. Acesso em: 03 jan. 2026.
    • APA

      Maciel, A. de C. (2012). Fabricação e estudo das propriedades de transporte de transistores de filmes finos orgânicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-18122012-114317/
    • NLM

      Maciel A de C. Fabricação e estudo das propriedades de transporte de transistores de filmes finos orgânicos [Internet]. 2012 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-18122012-114317/
    • Vancouver

      Maciel A de C. Fabricação e estudo das propriedades de transporte de transistores de filmes finos orgânicos [Internet]. 2012 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-18122012-114317/

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