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Fabricação e estudo das propriedades de transporte de transistores de filmes finos orgânicos (2012)

  • Authors:
  • Autor USP: MACIEL, ALEXANDRE DE CASTRO - IFSC
  • Unidade: IFSC
  • Sigla do Departamento: FCM
  • Subjects: FILMES FINOS; POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA); TRANSISTORES
  • Keywords: Filmes finos de polímeros; Organic field effect transistor; P3HT; PMMA; Polymer thin films; TMTES-Pentacene; TMTES-Pentaceno; Transistor de efeito de campo orgânicos
  • Language: Português
  • Abstract: A eletrônica digital desempenha papel essencial no desenvolvimento e manutenção dos padrões de vida em prática hoje no mundo. A peça fundamental para a criação desta era tecnológica é sem dúvidas o transistor. Com o advento de novos materiais, a busca por transistores que oferecem novas oportunidades de processamento e aplicação permitiu que uma nova área fosse criada: a eletrônica orgânica. Transistores de efeito de campo baseados em filmes finos de materiais orgânicos têm recebido grande atenção nas últimas décadas. Apresentamos um estudo experimental e teórico de transistores de efeito de campo a base de filmes finos orgânicos. Foram caracterizados transistores usando um derivado do pentaceno (TMTES-pentaceno) como camada ativa em um dispositivo feito sobre Si/SiO2. Mostramos que a inclusão do semicondutor orgânico em uma matriz polimérica isolante ajuda a manter a estabilidade termo mecânica do dispositivo. Foi desenvolvido um modelo que levasse em conta as resistências parasíticas para explicar o comportamento do transistor em função da temperatura. Também foram construídos e caracterizados transistores usando rr-P3HT como semicondutor e PMMA como isolantes. Apresentamos transistores do tipo Top-Gate e Bottom-Gate com mobilidade máxima de 7 x 10-3 cm2/V.s. Valores de razão ON/OFF de ~ 900 foram encontrados nos transistores otimizados. O comportamento dos transistores é analisado em função da temperatura e os modelos de aproximação de canal gradual e de Vissenberg-Matters foram aplicados para extração dosparâmetros de interesse. Por fim, apresentamos um modelo de corrente de canal baseado na resolução 2D numérica da equação de Poisson usando as idéias de Vissenberg-Matters para a concentração de cargas em função do potencial local. O modelo, embora ainda nos primeiros estágios de desenvolvimento, prevê a saturação da corrente nas curvas de saída simuladas sem limitações de regime de validade.
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 26.10.2012
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      MACIEL, Alexandre de Castro; FARIA, Roberto Mendonça. Fabricação e estudo das propriedades de transporte de transistores de filmes finos orgânicos. 2012.Universidade de São Paulo, São Carlos, 2012. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-18122012-114317/pt-br.php >.
    • APA

      Maciel, A. de C., & Faria, R. M. (2012). Fabricação e estudo das propriedades de transporte de transistores de filmes finos orgânicos. Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-18122012-114317/pt-br.php
    • NLM

      Maciel A de C, Faria RM. Fabricação e estudo das propriedades de transporte de transistores de filmes finos orgânicos [Internet]. 2012 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-18122012-114317/pt-br.php
    • Vancouver

      Maciel A de C, Faria RM. Fabricação e estudo das propriedades de transporte de transistores de filmes finos orgânicos [Internet]. 2012 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-18122012-114317/pt-br.php

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