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  • Artigo de periodico

    Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers (2024)

    Huang, T.-Y. ; Borrely, T ; Yang, Y.-C. ; Alzeidan, A. ; Jacobsen, G. M. ; Teodoro, M. D. ; Quivy, Alain André ; Goldman, R. S.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, CÉLULAS SOLARES, FOTOLUMINESCÊNCIA, LASER DO ESTADO SÓLIDO

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      HUANG, T.-Y. et al. Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers. Applied Physics Letters, v. 125, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0219815. Acesso em: 22 jan. 2026.

    • APA

      Huang, T. -Y., Borrely, T., Yang, Y. -C., Alzeidan, A., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., et al. (2024). Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers. Applied Physics Letters, 125. doi:10.1063/5.0219815

    • NLM

      Huang T-Y, Borrely T, Yang Y-C, Alzeidan A, Jacobsen GM, Teodoro MD, Quivy AA, Goldman RS. Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers [Internet]. Applied Physics Letters. 2024 ; 125[citado 2026 jan. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0219815

    • Vancouver

      Huang T-Y, Borrely T, Yang Y-C, Alzeidan A, Jacobsen GM, Teodoro MD, Quivy AA, Goldman RS. Influence of carrier localization on photoluminescence emission from sub-monolayer quantum dot layers [Internet]. Applied Physics Letters. 2024 ; 125[citado 2026 jan. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0219815

  • Trabalho de evento-resumo

    III-Te 2D structures for optoelectronic devices (2018)

    Olmos-Asar, Jimena Anahí; Fazzio, Adalberto ; Leao, Cedric Rocha

    Source: Resumo. Conference titles: Encontro de Outono. Unidade: IF

    Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OLMOS-ASAR, Jimena Anahí e FAZZIO, Adalberto e LEAO, Cedric Rocha. III-Te 2D structures for optoelectronic devices. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf. Acesso em: 22 jan. 2026.

    • APA

      Olmos-Asar, J. A., Fazzio, A., & Leao, C. R. (2018). III-Te 2D structures for optoelectronic devices. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf

    • NLM

      Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2026 jan. 22 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf

    • Vancouver

      Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2026 jan. 22 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
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