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Tese (Doutorado)
Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs (2023)
Santos, Thales Borrely dos ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: CÉLULAS SOLARES, NANOPARTÍCULAS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos. Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/. Acesso em: 04 jan. 2026.
APA
Santos, T. B. dos. (2023). Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
NLM
Santos TB dos. Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2026 jan. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
Vancouver
Santos TB dos. Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2026 jan. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
Artigo de periodico
XPS study of long-term passivation of GaAs surfaces using saturated ammonium sulfide solution under optimum condition (2021)
Mahmoodnia, Hedieh; Salehi, Alireza; Mastelaro, Valmor Roberto
Source: Russian Journal of Electrochemistry. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X
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ABNT
MAHMOODNIA, Hedieh e SALEHI, Alireza e MASTELARO, Valmor Roberto. XPS study of long-term passivation of GaAs surfaces using saturated ammonium sulfide solution under optimum condition. Russian Journal of Electrochemistry, v. 57, n. 5, p. 471-477, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1134/S1023193521050104. Acesso em: 04 jan. 2026.
APA
Mahmoodnia, H., Salehi, A., & Mastelaro, V. R. (2021). XPS study of long-term passivation of GaAs surfaces using saturated ammonium sulfide solution under optimum condition. Russian Journal of Electrochemistry, 57( 5), 471-477. doi:10.1134/S1023193521050104
NLM
Mahmoodnia H, Salehi A, Mastelaro VR. XPS study of long-term passivation of GaAs surfaces using saturated ammonium sulfide solution under optimum condition [Internet]. Russian Journal of Electrochemistry. 2021 ; 57( 5): 471-477.[citado 2026 jan. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1134/S1023193521050104
Vancouver
Mahmoodnia H, Salehi A, Mastelaro VR. XPS study of long-term passivation of GaAs surfaces using saturated ammonium sulfide solution under optimum condition [Internet]. Russian Journal of Electrochemistry. 2021 ; 57( 5): 471-477.[citado 2026 jan. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1134/S1023193521050104
Trabalho de evento-anais periodico
Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy (2019)
Santos, Thales Borrely dos; Quivy, Alain André
Source: IEEE. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos e QUIVY, Alain André. Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919412. Acesso em: 04 jan. 2026. , 2019
APA
Santos, T. B. dos, & Quivy, A. A. (2019). Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. doi:10.1109/SBMicro.2019.8919412
NLM
Santos TB dos, Quivy AA. Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2026 jan. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919412
Vancouver
Santos TB dos, Quivy AA. Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2026 jan. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919412
Trabalho de evento-anais periodico
Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves (2019)
Lima, Marcelo D. de; Santos, Thales Borrely dos; Quivy, Alain André
Source: IEEE. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Subjects: SIMULAÇÃO DE SISTEMAS, FOTODETECTORES
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ABNT
LIMA, Marcelo D. de e SANTOS, Thales Borrely dos e QUIVY, Alain André. Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919450. Acesso em: 04 jan. 2026. , 2019
APA
Lima, M. D. de, Santos, T. B. dos, & Quivy, A. A. (2019). Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. doi:10.1109/SBMicro.2019.8919450
NLM
Lima MD de, Santos TB dos, Quivy AA. Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves [Internet]. IEEE. 2019 ;03.[citado 2026 jan. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919450
Vancouver
Lima MD de, Santos TB dos, Quivy AA. Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves [Internet]. IEEE. 2019 ;03.[citado 2026 jan. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919450
Artigo de periodico
Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires (2019)
Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Hakkarainen, Teemu; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Rodrigues, Ariano de Giovanni; Talmila, Soile; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Lupo, Donald; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Source: Nanotechnology. Unidade: FZEA
Subjects: SEMICONDUTORES, ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
PITON, Marcelo Rizzo et al. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, v. 30, n. 33, p. 1-11, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab1a97. Acesso em: 04 jan. 2026.
APA
Piton, M. R., Koivusalo, E., Hakkarainen, T., Galeti, H. V. A., Rodrigues, A. de G., Talmila, S., et al. (2019). Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, 30( 33), 1-11. doi:10.1088/1361-6528/ab1a97
NLM
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Galeti HVA, Rodrigues A de G, Talmila S, Souto SPA, Lupo D, Gobato YG, Guina M. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires [Internet]. Nanotechnology. 2019 ; 30( 33): 1-11.[citado 2026 jan. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab1a97
Vancouver
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Galeti HVA, Rodrigues A de G, Talmila S, Souto SPA, Lupo D, Gobato YG, Guina M. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires [Internet]. Nanotechnology. 2019 ; 30( 33): 1-11.[citado 2026 jan. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab1a97

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