Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) (2025)
Unidade: IFSubjects: MODELAGEM MOLECULAR, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, MATERIAIS, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO
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ABNT
FIDELIS, Daniel Gonçalves. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3). 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/. Acesso em: 27 jan. 2026.APA
Fidelis, D. G. (2025). Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/NLM
Fidelis DG. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/Vancouver
Fidelis DG. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 27 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/
