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Artigo de periodico
Ab initio calculations of structural and dynamical properties of poly(p-phenylene) and poly(p-phenylene vinylene) (2003)
Capaz, R B; Caldas, Marília Junqueira
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: POLÍMEROS (MATERIAIS), COMPOSTOS ORGÂNICOS, MACROMOLÉCULA
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ABNT
CAPAZ, R B e CALDAS, Marília Junqueira. Ab initio calculations of structural and dynamical properties of poly(p-phenylene) and poly(p-phenylene vinylene). Physical Review B, v. 67, n. 20, p. 205205/1-205205/9, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.205205. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Capaz, R. B., & Caldas, M. J. (2003). Ab initio calculations of structural and dynamical properties of poly(p-phenylene) and poly(p-phenylene vinylene). Physical Review B, 67( 20), 205205/1-205205/9. doi:10.1103/physrevb.67.205205
NLM
Capaz RB, Caldas MJ. Ab initio calculations of structural and dynamical properties of poly(p-phenylene) and poly(p-phenylene vinylene) [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 20): 205205/1-205205/9.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.205205
Vancouver
Capaz RB, Caldas MJ. Ab initio calculations of structural and dynamical properties of poly(p-phenylene) and poly(p-phenylene vinylene) [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 20): 205205/1-205205/9.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.205205
Trabalho de evento-resumo
Torsional defects in organic semiconductors (2003)
Capaz, R B; Caldas, Marília Junqueira
Fonte: Book of Abstracts-Panel. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CAPAZ, R B e CALDAS, Marília Junqueira. Torsional defects in organic semiconductors. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Capaz, R. B., & Caldas, M. J. (2003). Torsional defects in organic semiconductors. In Book of Abstracts-Panel. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Capaz RB, Caldas MJ. Torsional defects in organic semiconductors. Book of Abstracts-Panel. 2003 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Capaz RB, Caldas MJ. Torsional defects in organic semiconductors. Book of Abstracts-Panel. 2003 ;[citado 2024 set. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Initial oxidation of the Si(111)7 X 7 surface: atomic exygen (2002)
Caldas, Marília Junqueira; Baierle, Rogerio Jose; Capaz, R B; Artacho, E
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
CALDAS, Marília Junqueira et al. Initial oxidation of the Si(111)7 X 7 surface: atomic exygen. 2002, Anais.. London: IOP Publishing, 2002. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Caldas, M. J., Baierle, R. J., Capaz, R. B., & Artacho, E. (2002). Initial oxidation of the Si(111)7 X 7 surface: atomic exygen. In Abstracts. London: IOP Publishing.
NLM
Caldas MJ, Baierle RJ, Capaz RB, Artacho E. Initial oxidation of the Si(111)7 X 7 surface: atomic exygen. Abstracts. 2002 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Caldas MJ, Baierle RJ, Capaz RB, Artacho E. Initial oxidation of the Si(111)7 X 7 surface: atomic exygen. Abstracts. 2002 ;[citado 2024 set. 04 ]
Artigo de periodico
Ab initio study of atomic oxygen adsorption on the Si(111)7 X 7 surface (2001)
Caldas, Marilia Junqueira; Baierle, Rogerio Jose; Capaz, R B; Artacho, E
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CALDAS, Marilia Junqueira et al. Ab initio study of atomic oxygen adsorption on the Si(111)7 X 7 surface. Physica B, v. 308, p. 329-332, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-459MSV1-2W-12&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2001&_sk=996899999&wchp=dGLbVtb-lSzBS&_acct=C000049650&_ver. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Caldas, M. J., Baierle, R. J., Capaz, R. B., & Artacho, E. (2001). Ab initio study of atomic oxygen adsorption on the Si(111)7 X 7 surface. Physica B, 308, 329-332. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-459MSV1-2W-12&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2001&_sk=996899999&wchp=dGLbVtb-lSzBS&_acct=C000049650&_ver
NLM
Caldas MJ, Baierle RJ, Capaz RB, Artacho E. Ab initio study of atomic oxygen adsorption on the Si(111)7 X 7 surface [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 329-332.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-459MSV1-2W-12&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2001&_sk=996899999&wchp=dGLbVtb-lSzBS&_acct=C000049650&_ver
Vancouver
Caldas MJ, Baierle RJ, Capaz RB, Artacho E. Ab initio study of atomic oxygen adsorption on the Si(111)7 X 7 surface [Internet]. Physica B. 2001 ; 308 329-332.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVH-459MSV1-2W-12&_cdi=5535&_orig=browse&_coverDate=12%2F31%2F2001&_sk=996899999&wchp=dGLbVtb-lSzBS&_acct=C000049650&_ver
Artigo de periodico
Ab-initio study of Coulomb-correlated optical properties in conjugated polymers (2001)
Ruini, A; Rossi, F; Hohenester, U; Molinari, E; Capaz, R B; Caldas, Marilia Junqueira
Fonte: Sunthetic Metals. Unidade: IF
Assunto: METALURGIA FÍSICA
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ABNT
RUINI, A et al. Ab-initio study of Coulomb-correlated optical properties in conjugated polymers. Sunthetic Metals, v. 119, n. 1-3, p. 257-258, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0379-6779(00)01016-x. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Ruini, A., Rossi, F., Hohenester, U., Molinari, E., Capaz, R. B., & Caldas, M. J. (2001). Ab-initio study of Coulomb-correlated optical properties in conjugated polymers. Sunthetic Metals, 119( 1-3), 257-258. doi:10.1016/s0379-6779(00)01016-x
NLM
Ruini A, Rossi F, Hohenester U, Molinari E, Capaz RB, Caldas MJ. Ab-initio study of Coulomb-correlated optical properties in conjugated polymers [Internet]. Sunthetic Metals. 2001 ; 119( 1-3): 257-258.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0379-6779(00)01016-x
Vancouver
Ruini A, Rossi F, Hohenester U, Molinari E, Capaz RB, Caldas MJ. Ab-initio study of Coulomb-correlated optical properties in conjugated polymers [Internet]. Sunthetic Metals. 2001 ; 119( 1-3): 257-258.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0379-6779(00)01016-x
Artigo de periodico
"Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon (2000)
Capaz, R B; Assali, L. V. C. ; Kimerling, L C; Cho, K; Joannopoulos, J D
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAPAZ, R B et al. "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 611-615, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Capaz, R. B., Assali, L. V. C., Kimerling, L. C., Cho, K., & Joannopoulos, J. D. (2000). "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 611-615. doi:10.1590/s0103-97331999000400002
NLM
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2000 ; 29( 4): 611-615.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002
Vancouver
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2000 ; 29( 4): 611-615.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002

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