ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin films (2010)
Mendes, A. C.; Maia, L. J. Q.; Messaddeq, S. H.; Messaddeq, Y.; Zanatta, Antonio Ricardo; Siu Li, Máximo
Source: Current Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: ESPECTROSCOPIA RAMAN (ANÁLISE), FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MENDES, A. C. et al. Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin films. Current Applied Physics, v. No 2010, n. 6, p. 1411-1415, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.cap.2010.05.005. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Mendes, A. C., Maia, L. J. Q., Messaddeq, S. H., Messaddeq, Y., Zanatta, A. R., & Siu Li, M. (2010). Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin films. Current Applied Physics, No 2010( 6), 1411-1415. doi:10.1016/j.cap.2010.05.005
NLM
Mendes AC, Maia LJQ, Messaddeq SH, Messaddeq Y, Zanatta AR, Siu Li M. Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin films [Internet]. Current Applied Physics. 2010 ; No 2010( 6): 1411-1415.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cap.2010.05.005
Vancouver
Mendes AC, Maia LJQ, Messaddeq SH, Messaddeq Y, Zanatta AR, Siu Li M. Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changers in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2'+'O IND.3' thin films [Internet]. Current Applied Physics. 2010 ; No 2010( 6): 1411-1415.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cap.2010.05.005
Trabalho de evento-resumo
Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changes in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2''O IND.3' films (2009)
Mendes, Alessandra Carla; Zanatta, Antonio Ricardo; Siu Li, Máximo; Messaddeq, Sandra Helena; Messaddeq, Younès; Maia, Lauro June Queiroz
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidade: IFSC
Subjects: ESPECTROSCOPIA RAMAN (ANÁLISE), FILMES FINOS, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MENDES, Alessandra Carla et al. Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changes in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2''O IND.3' films. 2009, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2009. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0940-1.pdf. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Mendes, A. C., Zanatta, A. R., Siu Li, M., Messaddeq, S. H., Messaddeq, Y., & Maia, L. J. Q. (2009). Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changes in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2''O IND.3' films. In Livro de Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0940-1.pdf
NLM
Mendes AC, Zanatta AR, Siu Li M, Messaddeq SH, Messaddeq Y, Maia LJQ. Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changes in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2''O IND.3' films [Internet]. Livro de Resumos. 2009 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0940-1.pdf
Vancouver
Mendes AC, Zanatta AR, Siu Li M, Messaddeq SH, Messaddeq Y, Maia LJQ. Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changes in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2''O IND.3' films [Internet]. Livro de Resumos. 2009 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0940-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Photoexpansion and photobleaching in oxyshulphide films (2008)
Mendes, A. C.; Siu Li, Máximo; Zanatta, Antonio Ricardo; Messaddeq, S. H.; Messaddeq, Y.; Maia, L. J. Q.
Source: Abstracts. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, FOTÔNICA, ESPECTROSCOPIA RAMAN, ESPALHAMENTO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MENDES, A. C. et al. Photoexpansion and photobleaching in oxyshulphide films. 2008, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat, 2008. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/C530.pdf. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Mendes, A. C., Siu Li, M., Zanatta, A. R., Messaddeq, S. H., Messaddeq, Y., & Maia, L. J. Q. (2008). Photoexpansion and photobleaching in oxyshulphide films. In Abstracts. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/C530.pdf
NLM
Mendes AC, Siu Li M, Zanatta AR, Messaddeq SH, Messaddeq Y, Maia LJQ. Photoexpansion and photobleaching in oxyshulphide films [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/C530.pdf
Vancouver
Mendes AC, Siu Li M, Zanatta AR, Messaddeq SH, Messaddeq Y, Maia LJQ. Photoexpansion and photobleaching in oxyshulphide films [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 jun. 23 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/C530.pdf
Artigo de periodico
Spectroscopic study of Nd-doped amorphous SiN films (2004)
Ribeiro, C. T. M.; Siu Li, Máximo; Zanatta, Antonio Ricardo
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA, LUMINESCÊNCIA, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO, C. T. M. e SIU LI, Máximo e ZANATTA, Antonio Ricardo. Spectroscopic study of Nd-doped amorphous SiN films. Journal of Applied Physics, v. 96, n. 2, p. 1068-1073, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1760843. Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Ribeiro, C. T. M., Siu Li, M., & Zanatta, A. R. (2004). Spectroscopic study of Nd-doped amorphous SiN films. Journal of Applied Physics, 96( 2), 1068-1073. doi:10.1063/1.1760843
NLM
Ribeiro CTM, Siu Li M, Zanatta AR. Spectroscopic study of Nd-doped amorphous SiN films [Internet]. Journal of Applied Physics. 2004 ; 96( 2): 1068-1073.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1760843
Vancouver
Ribeiro CTM, Siu Li M, Zanatta AR. Spectroscopic study of Nd-doped amorphous SiN films [Internet]. Journal of Applied Physics. 2004 ; 96( 2): 1068-1073.[citado 2024 jun. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1760843
Trabalho de evento-resumo
Síntese e caracterização de filmes da fase 'beta'-Ba'B IND.2'O IND.4' a partir da composição 48BaO-48'B IND.2''O IND.3'-4Ti'O IND.2' depositados por evaporação por feixe de elétrons (2003)
Maia, L. J. Q.; De Vicente, F. S.; Zanatta, Antonio Ricardo; Mastelaro, Valmor Roberto; Siu Li, Máximo
Source: Resumos. Conference titles: Reunião da Sociedade Brasileira de Cristalografia - SBCr. Unidade: IFSC
Assunto: FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAIA, L. J. Q. et al. Síntese e caracterização de filmes da fase 'beta'-Ba'B IND.2'O IND.4' a partir da composição 48BaO-48'B IND.2''O IND.3'-4Ti'O IND.2' depositados por evaporação por feixe de elétrons. 2003, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo, Instituto de Física de São Carlos, 2003. . Acesso em: 23 jun. 2024.
APA
Maia, L. J. Q., De Vicente, F. S., Zanatta, A. R., Mastelaro, V. R., & Siu Li, M. (2003). Síntese e caracterização de filmes da fase 'beta'-Ba'B IND.2'O IND.4' a partir da composição 48BaO-48'B IND.2''O IND.3'-4Ti'O IND.2' depositados por evaporação por feixe de elétrons. In Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo, Instituto de Física de São Carlos.
NLM
Maia LJQ, De Vicente FS, Zanatta AR, Mastelaro VR, Siu Li M. Síntese e caracterização de filmes da fase 'beta'-Ba'B IND.2'O IND.4' a partir da composição 48BaO-48'B IND.2''O IND.3'-4Ti'O IND.2' depositados por evaporação por feixe de elétrons. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 23 ]
Vancouver
Maia LJQ, De Vicente FS, Zanatta AR, Mastelaro VR, Siu Li M. Síntese e caracterização de filmes da fase 'beta'-Ba'B IND.2'O IND.4' a partir da composição 48BaO-48'B IND.2''O IND.3'-4Ti'O IND.2' depositados por evaporação por feixe de elétrons. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 23 ]

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

Subjects