Spectroscopic study of Nd-doped amorphous SiN films (2004)
- Authors:
- USP affiliated authors: LI, MAXIMO SIU - IFSC ; ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1063/1.1760843
- Subjects: FILMES FINOS; FOTOLUMINESCÊNCIA; LUMINESCÊNCIA; ESPECTROSCOPIA RAMAN
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Journal of Applied Physics
- ISSN: 0021-8979
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 96, n. 2, p. 1068-1073, Jul. 2004
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
RIBEIRO, C. T. M. e SIU LI, Máximo e ZANATTA, Antonio Ricardo. Spectroscopic study of Nd-doped amorphous SiN films. Journal of Applied Physics, v. 96, n. 2, p. 1068-1073, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1760843. Acesso em: 28 fev. 2026. -
APA
Ribeiro, C. T. M., Siu Li, M., & Zanatta, A. R. (2004). Spectroscopic study of Nd-doped amorphous SiN films. Journal of Applied Physics, 96( 2), 1068-1073. doi:10.1063/1.1760843 -
NLM
Ribeiro CTM, Siu Li M, Zanatta AR. Spectroscopic study of Nd-doped amorphous SiN films [Internet]. Journal of Applied Physics. 2004 ; 96( 2): 1068-1073.[citado 2026 fev. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1760843 -
Vancouver
Ribeiro CTM, Siu Li M, Zanatta AR. Spectroscopic study of Nd-doped amorphous SiN films [Internet]. Journal of Applied Physics. 2004 ; 96( 2): 1068-1073.[citado 2026 fev. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1760843 - Raman spectroscopy analysis of structural photoinduced changes in Ge'S IND.2'+'Ga IND.2''O IND.3' films
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.1760843 (Fonte: oaDOI API)
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