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Tese (Doutorado)
Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (2021)
Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (coorient)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/. Acesso em: 08 ago. 2024.
APA
Macambira, C. N. (2021). Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
NLM
Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
Vancouver
Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (2017)
Nascimento, Vinicius Mesquita do; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
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ABNT
NASCIMENTO, Vinicius Mesquita do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/. Acesso em: 08 ago. 2024.
APA
Nascimento, V. M. do. (2017). Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
NLM
Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
Vancouver
Nascimento VM do. Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28062017-153626/
Tese (Doutorado)
Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs (2008)
Galeti, Milene; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SIMULAÇÃO, MODELOS ANALÍTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
GALETI, Milene. Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14082008-093356/. Acesso em: 08 ago. 2024.
APA
Galeti, M. (2008). Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14082008-093356/
NLM
Galeti M. Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs [Internet]. 2008 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14082008-093356/
Vancouver
Galeti M. Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs [Internet]. 2008 ;[citado 2024 ago. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14082008-093356/
Tese (Doutorado)
Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas (2001)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello. Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. . Acesso em: 08 ago. 2024.
APA
Bellodi, M. (2001). Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Bellodi M. Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. 2001 ;[citado 2024 ago. 08 ]
Vancouver
Bellodi M. Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. 2001 ;[citado 2024 ago. 08 ]
Dissertação (Mestrado)
Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos (2001)
Marques, Marlos Sampaio; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, Marlos Sampaio. Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos. 2001. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. . Acesso em: 08 ago. 2024.
APA
Marques, M. S. (2001). Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Marques MS. Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos. 2001 ;[citado 2024 ago. 08 ]
Vancouver
Marques MS. Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos. 2001 ;[citado 2024 ago. 08 ]

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