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Tese (Doutorado)
Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (2021)
Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (coorient)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Macambira, C. N. (2021). Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
NLM
Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
Vancouver
Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. (2021)
Sousa, Bruna Ramos de; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (coorient)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS ANALÓGICOS
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ABNT
SOUSA, Bruna Ramos de. Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. 2021. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Sousa, B. R. de. (2021). Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/
NLM
Sousa BR de. Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/
Vancouver
Sousa BR de. Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/
Dissertação (Mestrado)
Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. (2020)
Gonçalez Filho, Walter; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, AMPLIFICADORES
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ABNT
GONÇALEZ FILHO, Walter. Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Gonçalez Filho, W. (2020). Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/
NLM
Gonçalez Filho W. Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/
Vancouver
Gonçalez Filho W. Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21092020-144559/
Dissertação (Mestrado)
Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla (2018)
Torres, Henrique Lanza Faria; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: RADIAÇÃO IONIZANTE, TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
TORRES, Henrique Lanza Faria. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Torres, H. L. F. (2018). Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/
NLM
Torres HLF. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/
Vancouver
Torres HLF. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/
Dissertação (Mestrado)
Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados (2018)
Silva, Vanessa Cristina Pereira da; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
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ABNT
SILVA, Vanessa Cristina Pereira da. Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Silva, V. C. P. da. (2018). Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/
NLM
Silva VCP da. Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/
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Silva VCP da. Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-11042018-091600/
Tese (Doutorado)
Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (2017)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Bordallo, C. C. M. (2017). Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
NLM
Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
Vancouver
Bordallo CCM. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012018-112959/
Tese (Doutorado)
Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (2017)
Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Martino, M. D. V. (2017). Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
NLM
Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
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Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO, GERMÂNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de. (2016). Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
NLM
Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
Vancouver
Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
Tese (Doutorado)
Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos (2008)
Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Agopian, P. G. D. (2008). Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/
NLM
Agopian PGD. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos [Internet]. 2008 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/
Vancouver
Agopian PGD. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETs ultra-submicrométricos [Internet]. 2008 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09022009-190025/
Dissertação (Mestrado)
Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFET em baixas temperaturas (2003)
Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES (CARACTERÍSTICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFET em baixas temperaturas. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. . Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Agopian, P. G. D. (2003). Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFET em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Agopian PGD. Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFET em baixas temperaturas. 2003 ;[citado 2024 ago. 21 ]
Vancouver
Agopian PGD. Análise do funcionamento dos dispositivos GC SOI MOSFET em baixas temperaturas. 2003 ;[citado 2024 ago. 21 ]
Dissertação (Mestrado)
Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício ()
Tolêdo, Rodrigo do Nascimento; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOLÊDO, Rodrigo do Nascimento. Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício. [S.d.]. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, [S.d.]. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032024-114126/pt-br.php. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Tolêdo, R. do N. Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032024-114126/pt-br.php
NLM
Tolêdo R do N. Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício [Internet]. [citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032024-114126/pt-br.php
Vancouver
Tolêdo R do N. Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício [Internet]. [citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032024-114126/pt-br.php

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