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Artigo de periodico
Impact of residual doping on surface current of InGaAs/InP photodiode passivated with regrown InP (2023)
Braga Filho, Osvaldo Moraes; Delfino, Cristian Anderson; Kawabata, Rudy Massami Sakamoto; Pinto, Luciana Dornelas; Vieira, Gustavo Soares; Pires, Mauricio Pamplona; Souza, Patrícia Lustoza de ; Marega Junior, Euclydes ; Carlin, John A.; Krishna, Sanjay
Source: Opto-Electronics Review. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRAGA FILHO, Osvaldo Moraes et al. Impact of residual doping on surface current of InGaAs/InP photodiode passivated with regrown InP. Opto-Electronics Review, v. 31, p. e144562-1-e144562-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.24425/opelre.2023.144562. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Braga Filho, O. M., Delfino, C. A., Kawabata, R. M. S., Pinto, L. D., Vieira, G. S., Pires, M. P., et al. (2023). Impact of residual doping on surface current of InGaAs/InP photodiode passivated with regrown InP. Opto-Electronics Review, 31, e144562-1-e144562-6. doi:10.24425/opelre.2023.144562
NLM
Braga Filho OM, Delfino CA, Kawabata RMS, Pinto LD, Vieira GS, Pires MP, Souza PL de, Marega Junior E, Carlin JA, Krishna S. Impact of residual doping on surface current of InGaAs/InP photodiode passivated with regrown InP [Internet]. Opto-Electronics Review. 2023 ; 31 e144562-1-e144562-6.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.24425/opelre.2023.144562
Vancouver
Braga Filho OM, Delfino CA, Kawabata RMS, Pinto LD, Vieira GS, Pires MP, Souza PL de, Marega Junior E, Carlin JA, Krishna S. Impact of residual doping on surface current of InGaAs/InP photodiode passivated with regrown InP [Internet]. Opto-Electronics Review. 2023 ; 31 e144562-1-e144562-6.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.24425/opelre.2023.144562
Artigo de periodico
Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP (2020)
Braga, Osvaldo M. ; Delfino, Cristian A.; Kawabata, Rudy M. S.; Pinto, Luciana Dornelas; Vieira, Gustavo S. ; Pires, Mauricio P.; Souza, Patrícia Lustoza de ; Marega Junior, Euclydes ; Carlin, John A.; Krishna, Sanjay
Source: IEEE Sensors Journal. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRAGA, Osvaldo M. et al. Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP. IEEE Sensors Journal, v. 20, n. 16, p. 9234-9244, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/JSEN.2020.2987006. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Braga, O. M., Delfino, C. A., Kawabata, R. M. S., Pinto, L. D., Vieira, G. S., Pires, M. P., et al. (2020). Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP. IEEE Sensors Journal, 20( 16), 9234-9244. doi:10.1109/JSEN.2020.2987006
NLM
Braga OM, Delfino CA, Kawabata RMS, Pinto LD, Vieira GS, Pires MP, Souza PL de, Marega Junior E, Carlin JA, Krishna S. Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP [Internet]. IEEE Sensors Journal. 2020 ; 20( 16): 9234-9244.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JSEN.2020.2987006
Vancouver
Braga OM, Delfino CA, Kawabata RMS, Pinto LD, Vieira GS, Pires MP, Souza PL de, Marega Junior E, Carlin JA, Krishna S. Surface passivation of InGaAs/InP p-i-n photodiodes using epitaxial regrowth of InP [Internet]. IEEE Sensors Journal. 2020 ; 20( 16): 9234-9244.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JSEN.2020.2987006

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