Determinacao da taxa de deposicao com magnetrons sputtering atraves de parametros do plasma (1993)
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IF, EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
FONTES, M B A et al. Determinacao da taxa de deposicao com magnetrons sputtering atraves de parametros do plasma. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 15 nov. 2024.APA
Fontes, M. B. A., Yamamoto, R. K., Maciel, H. S., & Acquadro Quacchia, J. C. (1993). Determinacao da taxa de deposicao com magnetrons sputtering atraves de parametros do plasma. In Anais. Campinas: Sbmicro.NLM
Fontes MBA, Yamamoto RK, Maciel HS, Acquadro Quacchia JC. Determinacao da taxa de deposicao com magnetrons sputtering atraves de parametros do plasma. Anais. 1993 ;[citado 2024 nov. 15 ]Vancouver
Fontes MBA, Yamamoto RK, Maciel HS, Acquadro Quacchia JC. Determinacao da taxa de deposicao com magnetrons sputtering atraves de parametros do plasma. Anais. 1993 ;[citado 2024 nov. 15 ]
