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Trabalho de evento-resumo
Strain in polytypic nanowires (2023)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos ; Alves, Horácio Wagner Leite
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos e ALVES, Horácio Wagner Leite. Strain in polytypic nanowires. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Siqueira, A. H., Sipahi, G. M., & Alves, H. W. L. (2023). Strain in polytypic nanowires. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties (2023)
Wanderley, Adilson Barros; Oliveira, Caio Estevão de; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e OLIVEIRA, Caio Estevão de e SIPAHI, Guilherme Matos. Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Wanderley, A. B., Oliveira, C. E. de, & Sipahi, G. M. (2023). Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf
NLM
Wanderley AB, Oliveira CE de, Sipahi GM. Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Oliveira CE de, Sipahi GM. Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20 (2022)
Miranda, Caetano Rodrigues ; Sipahi, Guilherme Matos (cur) ; Assali, Lucy Vitoria Credidio (cur) ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur)
Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. . São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. . Acesso em: 18 nov. 2024. , 2022
APA
Miranda, C. R. (2022). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA.
NLM
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Abstract Book. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
NLM
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Vancouver
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells (2022)
Medeiros, Marcos Henrique Lima de; Teixeira, Raphael Levy Rucio Castro ; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SPIN, POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO
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ABNT
MEDEIROS, Marcos Henrique Lima de et al. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2022. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Medeiros, M. H. L. de, Teixeira, R. L. R. C., Sipahi, G. M., & Silva, L. G. G. de V. D. da. (2022). Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf
NLM
Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf
Vancouver
Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos (2022)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, MODELOS MATEMÁTICOS
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ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Siqueira, A. H., & Sipahi, G. M. (2022). Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
Trabalho de evento-resumo
Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers (2021)
Sandoval, Marcelo A. Toloza; Sipahi, Guilherme Matos ; Andrada e Silva, E. A.; Silva, A. Ferreira da
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo A. Toloza et al. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. 2021, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2021. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Sandoval, M. A. T., Sipahi, G. M., Andrada e Silva, E. A., & Silva, A. F. da. (2021). Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
NLM
Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
Vancouver
Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
Artigo de periodico
Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells (2021)
Medeiros, Marcos Henrique Lima de ; Teixeira, Raphael Levy Rucio Castro ; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da
Source: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SPIN, POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MEDEIROS, Marcos Henrique Lima de et al. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. Physical Review B, v. No 2021, n. 19 p. 195307-1-195307-8, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.195307. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Medeiros, M. H. L. de, Teixeira, R. L. R. C., Sipahi, G. M., & Silva, L. G. G. de V. D. da. (2021). Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. Physical Review B, No 2021( 19 p. 195307-1-195307-8). doi:10.1103/PhysRevB.104.195307
NLM
Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2021 ; No 2021( 19 p. 195307-1-195307-8):[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.195307
Vancouver
Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2021 ; No 2021( 19 p. 195307-1-195307-8):[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.195307
Artigo de periodico
Spin-lasers: spintronics beyond magnetoresistance (2020)
Zutic, Igor; Xu, Gaofeng; Lindemann, Markus; Faria Junior, Paulo E.; Lee, Jeongsu; Labinac, Velimir; Stojšić, Kristian; Sipahi, Guilherme Matos ; Hofmann, Martin R.; Gerhardt, Nils C.
Source: Solid State Communications. Unidade: IFSC
Subjects: SPIN, SPINTRÔNICA, EQUAÇÕES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZUTIC, Igor et al. Spin-lasers: spintronics beyond magnetoresistance. Solid State Communications, v. 316-317, p. 113949-1-113949-17, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2020.113949. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Zutic, I., Xu, G., Lindemann, M., Faria Junior, P. E., Lee, J., Labinac, V., et al. (2020). Spin-lasers: spintronics beyond magnetoresistance. Solid State Communications, 316-317, 113949-1-113949-17. doi:10.1016/j.ssc.2020.113949
NLM
Zutic I, Xu G, Lindemann M, Faria Junior PE, Lee J, Labinac V, Stojšić K, Sipahi GM, Hofmann MR, Gerhardt NC. Spin-lasers: spintronics beyond magnetoresistance [Internet]. Solid State Communications. 2020 ; 316-317 113949-1-113949-17.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2020.113949
Vancouver
Zutic I, Xu G, Lindemann M, Faria Junior PE, Lee J, Labinac V, Stojšić K, Sipahi GM, Hofmann MR, Gerhardt NC. Spin-lasers: spintronics beyond magnetoresistance [Internet]. Solid State Communications. 2020 ; 316-317 113949-1-113949-17.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2020.113949
Trabalho de evento-resumo
Edge transport in GaSb/InAs double quantum wells (2020)
Medeiros, Marcos Henrique Lima de; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IF, IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MEDEIROS, Marcos Henrique Lima de e SILVA, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da e SIPAHI, Guilherme Matos. Edge transport in GaSb/InAs double quantum wells. 2020, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2020. Disponível em: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-1.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Medeiros, M. H. L. de, Silva, L. G. G. de V. D. da, & Sipahi, G. M. (2020). Edge transport in GaSb/InAs double quantum wells. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-1.pdf
NLM
Medeiros MHL de, Silva LGG de VD da, Sipahi GM. Edge transport in GaSb/InAs double quantum wells [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-1.pdf
Vancouver
Medeiros MHL de, Silva LGG de VD da, Sipahi GM. Edge transport in GaSb/InAs double quantum wells [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-1.pdf
Artigo de periodico
Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements (2019)
Bastos, Carlos M. O.; Besse, R.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Physical Review Materials. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos M. O. et al. Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements. Physical Review Materials, v. 3, n. 4, p. 044002-1-044002-10, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.044002. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Besse, R., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2019). Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements. Physical Review Materials, 3( 4), 044002-1-044002-10. doi:10.1103/PhysRevMaterials.3.044002
NLM
Bastos CMO, Besse R, Silva JLF da, Sipahi GM. Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements [Internet]. Physical Review Materials. 2019 ; 3( 4): 044002-1-044002-10.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.044002
Vancouver
Bastos CMO, Besse R, Silva JLF da, Sipahi GM. Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements [Internet]. Physical Review Materials. 2019 ; 3( 4): 044002-1-044002-10.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.044002
Trabalho de evento-resumo
Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies (2019)
Besse, Rafael; Bastos, Carlos M. O.; Sipahi, Guilherme Matos ; Lima, Matheus P.; Guedes Sobrinho, Diego; Caturello, Naidel A. M. S.; Silva, Augusto C. H.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Programa. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BESSE, Rafael et al. Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Besse, R., Bastos, C. M. O., Sipahi, G. M., Lima, M. P., Guedes Sobrinho, D., Caturello, N. A. M. S., et al. (2019). Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies. In Programa. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf
NLM
Besse R, Bastos CMO, Sipahi GM, Lima MP, Guedes Sobrinho D, Caturello NAMS, Silva ACH, Silva JLF da. Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf
Vancouver
Besse R, Bastos CMO, Sipahi GM, Lima MP, Guedes Sobrinho D, Caturello NAMS, Silva ACH, Silva JLF da. Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19 (2019)
Souza, Jeanlex Soares de (cur); Hernandez, Felix Guillermo Gonzalez (cur) ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur) ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da (cur) ; Sipahi, Guilherme Matos (cur)
Unidades: IF, IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19. . Fortaleza: Universidade Federal do Ceará - UFC. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024. , 2019
APA
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19. (2019). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19. Fortaleza: Universidade Federal do Ceará - UFC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf
NLM
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19 [Internet]. 2019 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf
Vancouver
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19 [Internet]. 2019 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf
Trabalho de evento-resumo
Vive la différence: integrating DFT and effective Hamiltonians (2019)
Sipahi, Guilherme Matos
Source: Palestras. Conference titles: Escola Mato-Grossense de Física - EMF. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA TEÓRICA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos. Vive la différence: integrating DFT and effective Hamiltonians. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. Disponível em: http://emf2019.blogspot.com/p/palestras.html. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Sipahi, G. M. (2019). Vive la différence: integrating DFT and effective Hamiltonians. In Palestras. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://emf2019.blogspot.com/p/palestras.html
NLM
Sipahi GM. Vive la différence: integrating DFT and effective Hamiltonians [Internet]. Palestras. 2019 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: http://emf2019.blogspot.com/p/palestras.html
Vancouver
Sipahi GM. Vive la différence: integrating DFT and effective Hamiltonians [Internet]. Palestras. 2019 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: http://emf2019.blogspot.com/p/palestras.html
Trabalho de evento-resumo
Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian (2019)
Bastos, Carlos M. O.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Programa. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos M. O. e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da e SIPAHI, Guilherme Matos. Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2019). Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian. In Programa. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf
NLM
Bastos CMO, Silva JLF da, Sipahi GM. Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf
Vancouver
Bastos CMO, Silva JLF da, Sipahi GM. Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf
Artigo de periodico
Electrical tuning of helical edge states in topological multilayers (2019)
Campos, T.; Sandoval, M. A. Toloza; Diago-Cisneros, L.; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMPOS, T. et al. Electrical tuning of helical edge states in topological multilayers. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 31, n. 49, p. 495501-1-495501-10, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-648X/ab38a1. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Campos, T., Sandoval, M. A. T., Diago-Cisneros, L., & Sipahi, G. M. (2019). Electrical tuning of helical edge states in topological multilayers. Journal of Physics: Condensed Matter, 31( 49), 495501-1-495501-10. doi:10.1088/1361-648X/ab38a1
NLM
Campos T, Sandoval MAT, Diago-Cisneros L, Sipahi GM. Electrical tuning of helical edge states in topological multilayers [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2019 ; 31( 49): 495501-1-495501-10.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-648X/ab38a1
Vancouver
Campos T, Sandoval MAT, Diago-Cisneros L, Sipahi GM. Electrical tuning of helical edge states in topological multilayers [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2019 ; 31( 49): 495501-1-495501-10.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-648X/ab38a1
Trabalho de evento
Structural stability, exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements: an ab-initio study (2019)
Sipahi, Guilherme Matos
Source: Canal YouTube International Institute of Physics - IIP. Conference titles: 2D Materials: from Fundamentals to Spintronics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos. Structural stability, exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements: an ab-initio study. 2019, Anais.. Natal: Universidade Federal do Rio Grande do Norte - UFRN - Instituto Internacional de Física, 2019. Disponível em: https://www.youtube.com/watch?v=CJq00_LsjmQ. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Sipahi, G. M. (2019). Structural stability, exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements: an ab-initio study. In Canal YouTube International Institute of Physics - IIP. Natal: Universidade Federal do Rio Grande do Norte - UFRN - Instituto Internacional de Física. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=CJq00_LsjmQ
NLM
Sipahi GM. Structural stability, exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements: an ab-initio study [Internet]. Canal YouTube International Institute of Physics - IIP. 2019 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=CJq00_LsjmQ
Vancouver
Sipahi GM. Structural stability, exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements: an ab-initio study [Internet]. Canal YouTube International Institute of Physics - IIP. 2019 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=CJq00_LsjmQ
Trabalho de evento-resumo periodico
Electric tuning of topological properties in a symmetric broken gap quantum well (2019)
Campos, Tiago de; Sandoval, Marcelo A. Toloza; Diago-Cisneros, Leovildo; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMPOS, Tiago de et al. Electric tuning of topological properties in a symmetric broken gap quantum well. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Disponível em: http://meetings.aps.org/Meeting/MAR19/Session/C03.2. Acesso em: 18 nov. 2024. , 2019
APA
Campos, T. de, Sandoval, M. A. T., Diago-Cisneros, L., & Sipahi, G. M. (2019). Electric tuning of topological properties in a symmetric broken gap quantum well. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Recuperado de http://meetings.aps.org/Meeting/MAR19/Session/C03.2
NLM
Campos T de, Sandoval MAT, Diago-Cisneros L, Sipahi GM. Electric tuning of topological properties in a symmetric broken gap quantum well [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2019 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: http://meetings.aps.org/Meeting/MAR19/Session/C03.2
Vancouver
Campos T de, Sandoval MAT, Diago-Cisneros L, Sipahi GM. Electric tuning of topological properties in a symmetric broken gap quantum well [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2019 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: http://meetings.aps.org/Meeting/MAR19/Session/C03.2
Artigo de periodico
Spin-orbit coupling effects in zinc-blende InSb and wurtzite InAs nanowires: realistic calculations with multiband k·p method (2018)
Campos, Tiago; Faria Junior, Paulo E.; Gmitra, Martin; Sipahi, Guilherme Matos ; Fabian, Jaroslav
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SPIN, SPINTRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMPOS, Tiago et al. Spin-orbit coupling effects in zinc-blende InSb and wurtzite InAs nanowires: realistic calculations with multiband k·p method. Physical Review B, v. 97, n. 24, p. 245402-1-245402-18, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.245402. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Campos, T., Faria Junior, P. E., Gmitra, M., Sipahi, G. M., & Fabian, J. (2018). Spin-orbit coupling effects in zinc-blende InSb and wurtzite InAs nanowires: realistic calculations with multiband k·p method. Physical Review B, 97( 24), 245402-1-245402-18. doi:10.1103/PhysRevB.97.245402
NLM
Campos T, Faria Junior PE, Gmitra M, Sipahi GM, Fabian J. Spin-orbit coupling effects in zinc-blende InSb and wurtzite InAs nanowires: realistic calculations with multiband k·p method [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 97( 24): 245402-1-245402-18.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.245402
Vancouver
Campos T, Faria Junior PE, Gmitra M, Sipahi GM, Fabian J. Spin-orbit coupling effects in zinc-blende InSb and wurtzite InAs nanowires: realistic calculations with multiband k·p method [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 97( 24): 245402-1-245402-18.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.245402
Artigo de periodico
A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory (2018)
Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos M. O. et al. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 6, p. 065702-1-065702-13, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5018325. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2018). A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory. Journal of Applied Physics, 123( 6), 065702-1-065702-13. doi:10.1063/1.5018325
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 6): 065702-1-065702-13.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018325
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 6): 065702-1-065702-13.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018325

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