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  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      DUARTE, C. A et al. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf. Acesso em: 05 out. 2024.
    • APA

      Duarte, C. A., Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf
    • NLM

      Duarte CA, Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf
    • Vancouver

      Duarte CA, Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf
  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA RAMAN

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      CHITTA, Valmir Antonio et al. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, v. 85, n. 17, p. 3777-3779, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1812590. Acesso em: 05 out. 2024.
    • APA

      Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Duarte, C. A., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, 85( 17), 3777-3779. doi:10.1063/1.1812590
    • NLM

      Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
    • Vancouver

      Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      DUARTE, C. A et al. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0655-1.pdf. Acesso em: 05 out. 2024.
    • APA

      Duarte, C. A., Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0655-1.pdf
    • NLM

      Duarte CA, Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0655-1.pdf
    • Vancouver

      Duarte CA, Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0655-1.pdf
  • Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF

    Subjects: DIELÉTRICOS, RESISTÊNCIA ELÉTRICA, MATERIAIS (ANÁLISE;TESTES), RESISTÊNCIA DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      FERNANDEZ, J R L et al. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems. Journal of Crystal Growth, v. 231, n. 3, p. 420-427, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7. Acesso em: 05 out. 2024.
    • APA

      Fernandez, J. R. L., Araujo, C. M., Silva, A. F. da, Leite, J. R., Sernelius, B. E., Tabata, A., et al. (2001). Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems. Journal of Crystal Growth, 231( 3), 420-427. doi:10.1016/s0022-0248(01)01473-7
    • NLM

      Fernandez JRL, Araujo CM, Silva AF da, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Abramog E, Chitta VA, Persson C, Ahuja R, Pepe I, As DJ, Frey T, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 231( 3): 420-427.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7
    • Vancouver

      Fernandez JRL, Araujo CM, Silva AF da, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Abramog E, Chitta VA, Persson C, Ahuja R, Pepe I, As DJ, Frey T, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 231( 3): 420-427.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7
  • Source: Proceedings. Conference titles: International Workshop on Nitride Semiconductors. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      FERNANDEZ, J R L et al. Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. 2000, Anais.. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP, 2000. . Acesso em: 05 out. 2024.
    • APA

      Fernandez, J. R. L., Tabata, A., Chitta, V. A., As, D. J., Frey, T., Noriega, O. C., et al. (2000). Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. In Proceedings. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP.
    • NLM

      Fernandez JRL, Tabata A, Chitta VA, As DJ, Frey T, Noriega OC, Silva MTO, Abramof E, Schikora D, Lischka K, Leite JR. Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 out. 05 ]
    • Vancouver

      Fernandez JRL, Tabata A, Chitta VA, As DJ, Frey T, Noriega OC, Silva MTO, Abramof E, Schikora D, Lischka K, Leite JR. Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 out. 05 ]

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